با نیاز روزافزون تکنولوژی به سرعت بیشتر، ادوات با سرعت بیشتر جایگزین ادوات کم سرعت شده¬اند. تکنولوژی bjt (bipolar junction transistor) پاسخگویی مناسب نبوده و ترانزیستورهای دو قطبی نامتناجس hbtها (heterojunction bipolar transistor) توانسته¬اند نقص سرعت و توان bjtها را برطرف نمایند از طرفی هزینه ساخت پایین¬¬تری نسبت به ادوات نوری دارند. hbtها از ترکیب مواد گروه چهارم تشکیل می¬شوند، که در این پایا...

اصطلاح مدل قطعه در استخراج اتوماتیک پارامترهای مدار معادل سیگنال کوچک، برای طراحان ic های مدرن بسیار حائز اهمیت است. ihp در سپتامبر سال 2009 با انجام یک سری شبیه سازی در فرکانس بالا بر روی ترانزیستورها، به مشخصاتی برای sige:c bicmos ها دست یافتند که فرکانس قطع و فرکانس ماکزیمم بالا( >ghz 120) از آن دسته مشخصات اند. hbt های sige:c امروزه به عنوان مهمترین ترانزیستورها در تکنولوژی bicmos استفاد...

در صنعت سلول های خورشیدی، سلول های سیلیکنی بواسطه فراوانی مواد اولیه و گستردگی تجهیزات ساخت بیشترین سهم را از آن خود کرده اند. در میان سلول های سیلیکنی، ساختارهای هتروجانکشن آمورف/کریستالی به دلیل هزینه تولید پایین،پسیویشن مناسب و امکان دستیابی به بازده های بالا بسیار مورد توجه هستند. تا کنون سلول hit یا "هتروجانکشن با بکارگیری لایه نازک ذاتی" که توسط کمپانی سانیو ارائه شده، بالاترین بازده و به...

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

ساختارهای دور آلاییده در طراحی، مطالعه و عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی ( fet)کاربرد دارند. به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یا رسانش یک چاه کوانتومی شکل می گیرد، که باعث ایجاد یک گاز حامل دو بعدی در فصل مشترک ناهمگون این ساختارها می شود. به دلیل جدایی فضایی بین حامل های آزاد دو بعدی و ناخالصی های یونیده در ساختارهای دور آلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و در نتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی های یونی...

قطعات ساندویچی pbpc-clalpc وتک لایه های clalpc و pbpc بوسیله الکترون بیم گان روی زیر لایه شیشه با الکترود مس لایه نشانی شد. اندازه گیری هایdc انجام شده و رسم نمودار i-v در گستره دمایی294 تا 373 کلوین و گستره ولتاژ 0 تا 2.5 ولت رسم شد ونهایتا مقادیر انرژی فعالسازی برای قطعات ذکر شده به ترتیب 0.16 و0.22 و0.23 الکترون ولت بدست آمد. اندازه گیری ac در محدوده فرکانس 102-105 هرتز و محدوده دمایی ...

گرافین، تک لایه ی اتمی از کربن با ساختار لانه زنبوری، که اخیراً به طور تجربی ساخته شده به دلیل طیف شبه نسبیتی و کیفیت بالای الکترونی آن در سالهای اخیر به شدت مورد توجه قرار گرفته است. ویژگیهای ممتاز مکانیکی، شیمیایی و اپتیکی آن نیز بر میزان اهمیتش افزوده است. طیف الکترونی گرافین همانند یک شبه فلز، بدون گاف بوده و نوارهای رسانش و ظرفیت در گوشه های ناحیه ی اول بریلوئن موسوم به نقاط دیراک به هم می ...

ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمت...

نویز یکی از پدیده های مهم در علوم و مهندسی می باشد. حد پایین دقت هر دستگاه اندازه گیری و مینیمم سیگنال قابل آشکار سازی توسط آن تعیین می گردد. در طراحی مدارات فرکانس بالا با دقت بالا بایستی اثر نویز در نظر گرفته شود. برای اینکه اثر نویز را در طراحی لحاظ کنیم از پارا مترهای نویز استفاده می کنیم. برای هر قطعه نویزی پارامتری بعنوان مشخصه نویزی تعریف شده است که عدد نویز نامیده می شود. عدد نویز تابع ...