ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

مدارات مجتمع cmos به منظور دستیابی به سرعت بالا و تراکم فشرده سازی، کوچک شدن افزاره ها را می طلبند، لذا با کوچک شدن طول گیت اثرات کانال کوتاه بسیار مهم خواهند شد. به دلیل تغییر طول گیت خواص قطعه نیز تغییر می کند. در این پایان نامه، اثرات کانال کوتاه ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق و روش های کاهش آنها و نیز ساختارهای ارائه شده بدین منظور مورد مطالعه قرار گرفته اند؛ در نهایت با استفاده از شبیه ساز...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایsoi-mosfet به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده si3n4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار soi-mosfet چند لایه ...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...

در این رساله یک مدل دو بعدی تحلیلی برای تغییرات پتانسیل سطح در امتداد کانال در تخلیه کامل یک ماسفت دو گیتی سیلیکن روی عایق پیشنهاد شده است تا اثرات کانال کوتاه در آن مورد بررسی قرار گیرد. ترانزیستور ما شامل دو گیت و اختلاف ولتاژ بین آن دو می باشد. ما نشان می دهیم که پتانسیل سطح در کانال یک تابع پله ای را نمایش می دهد که به منزله عدم تاثیر گذاری بایاس درین بر روی پتانسیل سطح است. این اختلاف پتان...