نتایج جستجو برای: جریان پارازیتی

تعداد نتایج: 38088  

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2015
محمدرضا انصاری نیما سام خانیانی

جریان پارازیتی از مشکلات شبیه سازی جریان دوفاز با روش حجم سیال است. این جریان غیرفیزیکی باعث خطا در شبیه سازی فصل مشترک دوفاز و تغییر شکل های ناخواسته ی فصل مشترک می گردد. برای کاهش جریان پارازیتی راهکارهای متفاوتی ارائه شده است. در مطالعه ی حاضر، کاهش جریان پارازیتی با استفاده از دو راهکار: 1- ترکیب روش حجم سیال با روش سطوح هم تراز (s-clsvof) و 2- بکارگیری فیلترها مورد بررسی قرار می گیرد. در ا...

روش‌های کنترل جریان بدون حس‌گر که نیاز به استفاده از حس‌گر جریان را با به کار گرفتن رؤیت‌گر جریان از میان می‌برند، می‌توانند راه‌حل‌هایی مقرون‌به‌صرفه و مطمئن برای کنترل گسسته مبدل‌های DC-DC به ارمغان بیاورند. ازآنجایی‌که هرگونه عدم دقت در مدل مبدل می‌تواند موجب انحراف جریان رؤیت‌شده از جریان واقعی سلف و درنتیجه خطای حالت ماندگار ولتاژ خروجی گردد، مدلی دقیق استخراج می‌شود که شامل مقاومت‌های پار...

در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه می‌شود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

Journal: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
پرویز امیری دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر محمود صیفوری دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر بابک آفرین دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر آوا هدایتی پور دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

سازگاری الکترومغناطیسی در منابع تغذیه سوئیچینگ که خود از منابع نویز هستند‏، اهمیت ویژه‌ای دارد. تداخل الکترومغناطیسی (EMI) به شکل هدایتی و یا تشعشعی به بخشهای حساس می‌رسد و در کار آنها اختلال می‌کند. از طرف دیگر، استانداردهای سازگاری الکترومغناطیسی، اجبار دیگری را در کاهش نویز مبدلهای سوئیچینگ ایجاد کرده است. بخش مهمی از نویز ناشی از جریان نویز مد مشترک عبوری از عناصر پارازیتی به سمت زمین مدار ...

سازگاری الکترومغناطیسی در منابع تغذیه سوئیچینگ که خود از منابع نویز هستند‏، اهمیت ویژه‌ای دارد. تداخل الکترومغناطیسی (EMI) به شکل هدایتی و یا تشعشعی به بخشهای حساس می‌رسد و در کار آنها اختلال می‌کند. از طرف دیگر، استانداردهای سازگاری الکترومغناطیسی، اجبار دیگری را در کاهش نویز مبدلهای سوئیچینگ ایجاد کرده است. بخش مهمی از نویز ناشی از جریان نویز مد مشترک عبوری از عناصر پارازیتی به سمت زمین مدار ...

در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویت‌کننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد می‌شود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، به‌عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می‌دهد. در این ساختار به‌جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل می‌شود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولت...

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 2015
محمد روح اله یزدانی مریم فاضل

سازگاری الکترومغناطیسی در منابع تغذیه سوئیچینگ که خود از منابع نویز هستند‏، اهمیت ویژه ای دارد. تداخل الکترومغناطیسی (emi) به شکل هدایتی و یا تشعشعی به بخشهای حساس می رسد و در کار آنها اختلال می کند. از طرف دیگر، استانداردهای سازگاری الکترومغناطیسی، اجبار دیگری را در کاهش نویز مبدلهای سوئیچینگ ایجاد کرده است. بخش مهمی از نویز ناشی از جریان نویز مد مشترک عبوری از عناصر پارازیتی به سمت زمین مدار ...

جریان‌های بلبرینگ در موتورهای القایی به عنوان یکی از عوامل مخرب بلبرینگ به شمار می‌روند. القای ولتاژ شفت از طریق خازن‌های پارازیتی در موتور در نتیجه ولتاژ فرکانس بالای وجه مشترک موتور، عامل ایجاد این نوع جریان به شمار می‌رود. بنابراین کاهش هرچه بیشتر ولتاژ وجه مشترک باعث کاهش جریان بلبرینگ می‌گردد. در این مقاله با توجه به اهمیت روزافزون روش کنترل مستقیم گشتاور در کنترل موتور القایی در صنعت، روش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1392

در دهه اخیر، نیمه هادی ganبه دلیل گاف انرژی و رسانندگی گرمایی بزرگ تر نسبت به نیمه هادی gaas ، در کاربردهای توان بالا مورد توجه قرارگرفته است. به دلیل همین ویژگی ها، ganاین قابلیت را دارد که در دماها و ولتاژهای بالا نیز کار کند. علاوه بر این سرعت اشباع الکترون در ganنیز نسبت به gaasبیشتر بوده و به همین دلیل، این نیمه هادی برای کاربردهای فرکانس بالا نیز مناسب می باشد. در ترانزیستورهای hemt با فن...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید