نمونه های آمورف با استفاده از روش فرونشانی مذاب تهیه شده اند. مطالعه رسانش الکتریکی جامدات آمورف و بویژه شیشه های اکسیدی یکی از زمینه های علمی مورد علاقه در فیزیک حالت جامد و علم مواد است. در این کار، مبتنی بر کاربردهای وسیع شیشه های اکسیدی فلزات واسطه، رسانش الکتریکی نمونه های حاضر در گستره دمایی296-180 درجه کلوین اندازه گیری شد و نتایج نشان می دهد که انرژی فعال سازی رسانش الکتریکی با افزایش ت...

در این پژوهش، شیشه های (60-x)v2o5 -40teo2-xsb به روش فرونشانی مذاب تهیه شدند سپس به روش چهار سیمه رسانش الکتریکی نمونه ها در گستره دمایی 407-295 درجه کلوین تعیین شد. نمونه های مورد بررسی از رابطه آستین- مات پیروی می کنند که خود موید رسانش جهشی پلارون کوچک است. از رابطه رسانندگی- دما، تغییرات انرژی فعالسازی الکتریکی، اثر تغییر فاصله یونهای وانادیم بر رسانش الکتریکی و همچنین فاکتور تونل زنی در نم...

در این مطالعه ما رسانش الکتریکی یک نانو لوله کربنی ایده ال و یک نانو لوله کربنی در حضور پتانسیل خارجی یکنواخت را به کمک رهیافت بستگی قوی در نظریه پاسخ خطی مطالعه کرده و به کمک این رهیافت در تقریب همسایه نزدیک، به کمک ساز وکار تابع گرین رسانش این دستگاه را به دست می آوریم، نتایج به دست آمده نشان می دهد که در حضور پتانسیل خارجی علاوه بر محدودتر شدن ناحیه رسانش تشدیدی، در ابتدای (انتهای) پنجره مجا...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست با فرض برهمکنش نزدیک ترین همسایه به بررسی رسانش و چگالی حالت های الکترونی یک نانو بلور نامتناهی با ساختار مکعبی ساده شامل یک بار یا دوقطبی الکتریکی واقع در سطح مقطع آن می پردازیم. نتایج نشان می دهد که با انتقال بار الکتریکی از مرکز به سمت سطح نانو بلور، ضریب عبور سامانه افزایش می یابد درحالی که انتقال دوقطبی از مرکز به سمت سطح نانو بلور...

هدف اصلی این تحقیق، تاثیر میدان مغناطیسی روی رسانش الکتریکی نانوساختار در مدل بستگی قوی است. بدین منظور ابتدا فرض کردیم که ذره های باردار و میدان مغناطیسی مستقیماً با یک دیگر برهم کنش ندارند، نتایج نشان می دهد که اثر آهارانف- بوهم روی رسانش الکتریکی حلقه تاثیر می گذارد و رسانش الکتریکی را کمتر می کند. اگر میدان مغناطیسی به اندازه کافی قوی باشد رسانش الکتریکی به طور کامل صفر می شود. در ادامه تا...

کربن به عنوان یک عنصر منحصر به فرد در طبیعت همواره از دیرباز مورد توجه بوده است. ساختارهای جدیدی همچون نانولوله های کربن و فلورن با ویژگی های خاص خود، مطالعه روی ساختارهای متفاوت کربن را دوباره در کانون توجه قرار داد. درسال 2004 گرافن به عنوان یک تک لایه از اتم های کربن که یک پایه نظری برای سایر ساختارهای آن است کشف شد. بررسی خواص فیزیکی گرافن یکی زمینه های تحقیقاتی پر دامنه است. در این تحقیق م...

در این تحقیق، ویژگی¬های رسانش الکترونی یک سامانه کوانتومی متشکل از یک وسیله با شبکه مربعی متصل به دو الکترود فلزی نیم نامتناهی را مطالعه می¬نماییم. رسانش الکترونی سامانه، بر اساس مدل تنگابست با تقریب نزدیک¬ترین همسایه¬ها و در رژیم جفت‌شدگی قوی بررسی می¬شود. همچنین رهیافت تابع گرین برگشتی برای محاسبات عددی رسانش مورد استفاده قرار می¬گیرد. نتایج نشان می¬دهد که با تغییر پهنای سامانه و اعمال میدان ...

گرافین صفحه‌ای از اتم‌های کربن است که به صورت یک تا چندلایه (حدود ده لایه) خواص دوبعدی خود را حفظ می‌کند. در این بین گرافین سه‌لایه به علت پایداری و فراوانی نسبت به دیگر ساختارها، مورد توجه است. چون تعداد و چگونگی قرارگیری لایه‌ها نسبت به هم خواص ترابردی ماده و طیف پاشندگی را تغییر می‌دهد؛ بنابراین در بررسی گرافین سه‌لایه ساختار برنل ABA به تحلیل هامیلتونی و ساختار نواری آن پرداخته‌ایم. بررسی‌ه...

در این مقاله به مطالعه رسانش و چگالی حالت های الکترونی یک بسپار شانه-مانند با انرژی پرش متناوب متصل به دو زنجیره ساده یک بعدی در رهیافت بستگی قوی پرداخته شده است. روابطی برای ضریب عبور الکترونی و چگالی حالت ها به کمک تابع گرین سامانه به صورت تحلیلی ارائه شده اند. نتایج نشان می دهند که طیف رسانش الکتریکی بسپارهای پلی استیلن-مانند در غیاب انرژی پرش پیوند کربن-هیدروژن دارای یک گاف انرژی متناسب با ...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...