در این پایان نامه، ما به مطالعه ی معادله ی دیراک در حضور برهم کنش های غیر هرمیتی با فرض وجود ویژه مقادیر حقیقی برای هامیلتونی دیراک می پردازیم. برهم کنش های غیر هرمیتی در نظریه ی دیراک دارای موارد استعمال گسترده ای در فیزیک ماده ی چگال می باشند. همچنین، نحوه ی به دست آوردن پاسخ های حالت مقید برای یک شبه ذره در حال حرکت در یک هتروساختار یک بعدی با سرعت فرمی و جرم وابسته به مکان را مورد بررسی و م...

شبه کریستال های فوتونیکی با توجه به ویژگی های برجسته ای که در زمینه کنترل نور داشته اند، در چند دهه اخیر مورد توجه محققان در رشته فیزیک و مهندسی فوتونیک، بوده است. این ساختارها ویژگی ها و خواص مشابه و البته بهتری از کریستال های فوتونیکی به نمایش می گذارند، که ناشی از درجه آزادی بیشتری است که در ساختارهای غیرپریودیک نهفته است. از جمله مشخصات مهم و بارز این ساختارها، شکاف باند فوتونیکی کامل و ایز...

در دهه اخیر تحقیقات گسترده ای در زمینه خواص فیزیکی (in)gaas1-xnx به عنوان نیمرساناهای نیتروژندار رقیق صورت گرفته است. این مواد با ویژگی کوچکی و مستقیم بودن گاف نواری در محدوده 1 الکترون ولت از کاربرد بالایی در قطعات الکترونیک و اپتوالکترونیک برخوردارند. در این بین ساختار ناهمگون (in)gaas1-xnx/algaas با چاه های کوانتومی مربعی و مثلثی، با توجه به خصوصیت منحصر بفرد آن که امکان تشکیل کانالی رسانا ا...

دستگاه¬های لایه¬نشانی به روش کندوپاش dc مغناطیسی واکنشی برای لایه¬نشانی اکسید مس و روش تبخیر حرارتی برای لایه¬نشانی فلزات طلا، منگنز و آلومینیوم به عنوان اتصالات اهمی پیاده-سازی و راه¬اندازی شدند. فازهای اکسید مس با توجه به فشار جزئی گاز اکسیژن در محفظه لایه¬نشانی تفکیک و اندازه¬گیری¬های الکتریکی و نوری برای این لایه¬ها صورت پذیرفت. تطبیق اندازه-گیری¬های مقاومت ویژه، غلظت و تحرک حفره¬ها و میزان...

در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. ام...

در این رساله، برای محاسبه بهره و ضریب نویز اضافی افزاره آشکارساز نوری بهمنی مدلی ارائه کرده ایم که تابع توزیع طول یونیزاسیون برخوردی در ناحیه تکثیر همگون و ناهمگون را با دو بخش خطی و نمایی تقریب می زند. بر اساس این مدل، چگونگی توزیع طول یونیزاسیون برخوردی به ازای مقدارهای مختلف شدت میدان الکتریکی، کسرهای مولی و مکان پیوند ناهمگون را محاسبه می کنیم. این مدل علاوه بر سادگی و قابلیت گسترش به سایر ...

در این پایان نامه به بررسی ساختار روی توان های عملگرهای p-هیپونرمال و log-هیپونرمال می پردازیم که از مسئله ی عملگرهای هیپونرمال الهام گرفته شده است. ساختار روی توان های عملگرها مرکب از ساختار همگون و ساختار ناهمگون می باشد و مسئله ی اصلی ساختار روی توان های عملگرها ،به ساختار ناهمگون روی توان های عملگرها تعلق دارد. ساختار روی توان های عملگرهای p-هیپونرمال برای 0<p شده است. همچنین برخی از کاربرد...

در تحقیقات اخیر، سلول های خورشیدی که بر مبنای نیم رساناهای آلی و پلیمری ساخته می شوند بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. زیرا قابلیت ساخت این نوع از سلول ها در فاز محلول با هزینه کم و بر روی زیرلایه های انعطاف پذیر امکان پذیر می باشد. استفاده از مفهوم ناهمگون حجمی، راحتی ساخت و همچنین بازدهی این نوع از سلول ها را افزایش داده است. اما بازدهی سلول های پلیمری در مقایسه با سلول های معدنی پایین تر است....

در این پایان نامه با استفاده از شبیه سازی دینامیک مولکولی، میزان جذب گازهای نجیب مانند هلیم، نئون، آرگون، کریپتون و زنون روی مجموعه ای از نانولوله ها اندازه گیری شده است. برای تشکیل نانولوله های کربنی ناهمگون از یک نانولوله کربنی (8 و8)، یک نانولوله کربنی (9و9)، دو نانولوله کربنی (10و10) و سه نانولوله کربنی (11و11) استفاده شده است. در اینجا دو مدل متفاوت از دسته نانولوله های کربنی ناهمگون مورد ...