لایه ی میانی بین گیت دی الکتریک اکسیدی و سیلیکون بسیار مهم است زیرا عملکرد ترانزیستورها و قابلیت اعتبار افزاره ها به وسیله ی گیت و گیت دی الکتریک اکسیدی ترانزیستور تعیین و کنترل می شود. علاوه بر این وقتی که اکسید برای سازگاری با سرعت های بالاتر در مدارهای مجتمع نازک و نازک تر می شود نقش لایه ی میانی مهم تر می شود. در این پایان نامه سعی کردیم ساختار فصل مشترک si(111)/sio2 را به وسیله ی تکنیک xps...

نانو ذرات فریت نیکل روی ) (nixzn1-xfe2o4)0 ? x?1) با استفاده از روش عملیات گرمایی پس از قرار گرفتن در دمای ??? درجه سلیسیوس بدست آمدند. پلی وینیل پیرولیدون (pvp) به عنوان یک عامل محافظ جهت پایدارسازی ذرات و جلوگیری از انباشته شدن آنها مورد استفاده قرار گرفت. فازهای بلوری نانو ذرات فریت نیکل روی بوسیله دستگاه پراش اشعه ایکس(xrd) تائید گردید. نتایج حاصل از میکروسکوپ الکترون عبوری (tem) اندازه ذرا...

تلاش زیادی که در طراحی مدار های الکترونیکی با چگالی بالا (مجتمع سازی) صورت گرفته است با چند چالش اساسی مواجه شده اند. بارزترین آن ها، رشد فیلم های دی الکتریک فرا نازک نظیر al2o3 , aln, tio2 , si3n4 , sioxny است. رشد فیلم های فرانازک با استفاده از اکسیژن و نیتروژن می تواند دو مشکل نفوذ بور و تونل زنی از گیت دی الکتریک را کاهش دهد. در اینجا ما طیف فوتوگسیلی اشعه ی x در si2p , si2s , o1s ,n1s را ب...

تشکیل فاز و تغییر در فرکانسهای فونونی رامان فعال ترکیب ابررسانای دمای بالای gdbco که با ce آلایش یافته است، توسط طیف پراکندگی اشعه x و طیف نگاری رامان بررسی می شود. افزایش آلایش موجب می شود که فازهای ثانویه ای چون 3 cebao در نمونه تشکیل شوند و دمای گذار ابررسانایی را کاهش دهند. حضور این فازها هم در طیف پراش اشعه x و هم در طیف رامان قابل مشاهده است. علاوه براین، مطالعه طیفهای رامان نشان می دهد ک...

در این مقاله نانو ذرات La0.6Sr0.4MnO3 با استفاده از روش تابش ماکروویو تهیه شده‌اند. خواص ساختاری، مغناطیسی، اپتیکی و فوتوکاتالیستی نانو ذرات با استفاده از الگوی پراش اشعه‌ی X (XRD)، میکروسکوپ الکترون عبوری (TEM) ،طیف مادون فرمز(FTIR)، مغناطش سنج نمونه ارتعاشی (VSM) و طیف سنجی فرابنفش– مرئی (UV vis) بررسی گردید. ثابت شبکه، حجم یاخته، گروه فضایی، زاویه و طول پیوند به کمک تحلیل پراش اشعه ی ایکس (X...