در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

در این مقاله با استفاده از روش حل چندبعدی معادلات واکنش-نفوذ (r-d)، مدل هایی برای پدیده ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (nbti) در یک mosfet سه گیتی کانال p و پدیده تزریق حامل های پرانرژی (hci) در یک افزاره finfet سه گیتی توده کانال n ارائه می­شود. سپس نتایج حاصل از مدل با نتایج تجربی مقایسه شده و بستگی تغییرات توان زمان در مدل با ابعاد و شکل افزاره بررسی می شود. نتایج به دست آمده در مقاله ب...

در این تحقیق، وابستگی دمای مشخصه، ماکزیمم دمای عملکرد و عمق کمینه چاه پتانسیل به پارامترهای ساختار در لیزر نقطه کوانتومی gainasp/inp در حضور اتلاف درونی وابسته به چگالی حامل بررسی شده است. اتلاف درونی در یک لیزر نیمه رسانای نقطه کوانتومی، احتمال اشغال تراز حامل محدود شده را در qdها، با چگالی حامل آزاد در موجبر جفت می کند به خاطر این جفت شدگی که توسط شرایط آستانه کنترل می شود، چگالی حامل آزاد ا...

نتایج نظری وعملی نشان میدهند که ماکزیمم دمای ایجاد شده در آب استخر کم عمق خورشیدی نسبت به ماکزیمم دمای محیط

دما و بارش از پارامترهای مهم جوی برای برنامه­ریزی در حوضه­های آبخیز می­باشد. بررسی روند دما و بارش برای برنامه­ریزی­های آتی در حوضه­های آبخیز بسیار حائز اهمیت است. در این مقاله روند پارامترهای جوی دمای ماکزیمم، مینیمم و بارش سالانه و فصلی ایستگاه­های سینوپتیک بندرانزلی، رشت، رامسر، بابلسر و گرگان مورد بررسی قرار گرفتند. برای آشکارسازی روند دما و بارش نیاز به سری­­های زمانی همگن می­باشد. بررسی ه...

استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (اکسید سیلیکون) راه حلی برای حذف اثرات پارازیتی موجود در افزاره های بدنه سیلیکون می باشد اما هدایت گرمایی پایین لایه اکسید مدفون در افزاره های سیلیکون روی عایق، موجب تولید اثر خود گرمایی و افزایش دمای شبکه در این افزاره ها به ویژه در افزاره های زیر میکرون می شود. لذا اثر خود گرمایی محرکی برای حرکت به سمت استفاده از تکنولوژی سیلیکون بر روی موادی گردید که...

امروزه با پیشرفت چشمگیر تکنولوژی، کوچک¬سازی افزاره¬ها به عنوان یکی از نیاز¬های اساسی برای مدارات آنالوگ و دیجیتال مطرح است. اما با کوچک¬سازی افزاره¬ها، مشکلات بحرانی در عملکرد الکتریکی و حرارتی افزاره¬ها بروز می¬نماید که برای حل آن نیاز به ارائه راهکارها و ساختارهای نوین است. این رساله روش¬های موثری برای بهبود اثرات کانال کوتاه، بهبود اثرات بدنه شناور و بهبود اثر خودگرما ارائه می¬کند. برای کاهش...

در این مقاله، انتقال حرارت جابجایی طبیعی دو بعدی در محفظه مربعی همراه با دو گرمکن موضعی در دیواره پایین که تحت شار حرارتی نوسانی قرار دارد، با استفاده از روش شبکه بولتزمن مورد بررسی قرار گرفته است. دیواره‌ بالایی در محفظه در دمای ثابت سرد بوده و دیواره‌های جانبی و اطراف گرمکن‌ها نیز عایق هستند. اثر تغییرات مکان گرمکن‌ها، دامنه و طول موج نوسان شار حرارتی بر روی دمای ماکزیمم گرمکن‌ها و جریان درون...

در این رساله، مدل تحلیلی برای افزاره npt-igbt ، که یکی از انواع پرکاربرد کلیدهای نیمه هادی قدرت می باشند، ارائه می شود. این مدل که از حل معادلات نیمه هادی در ساختار سه بعدی بدست آمده است ، دقیقتر از مدلهای قبلی می باشد و انتظار می رود که نتایج تخمین زده شده توسط آن به نتایج آزمایش نزدیکتر باشد. با استفاده از روابط نهایی بدست آمده، مشخصه جریان - ولتاژ افزاره ترسیم می شود. سپس اثر تغییر پارامترها...

یکی از موارد مهم در فرآیند ساخت افزاره‌ها در مقیاس نانومتر، آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین– سورس است. در این مقاله برای اولین بار اثر آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین- سورس برای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی بررسی شده است. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات الکتریکی افزاره از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. عملکرد افزاره برحسب ...