در این مقاله، یک ساختار جدید برای آینه جریان معرفی شده است که ضمن ارائه پهنای باند فرکانسی وسیع، مقاومت بالایی را نیز در برابر تغییرات تصادفی پروسه ساخت و ناهمجوری ترانزیستورها از خود نشان می‌دهد. پاسخ فرکانسی و همچنین دقت و صحت انتقال جریان مدار پیشنهادشده با این دو مشخصهِ آینه جریان ساده مقایسه شده است. برای بررسی اثرات تغییر پارامترهای ناشی از فرایند ساخت و ناهمجوری ترانزیستورها از شبیه‌سازی ...

در این مقاله مشخصات فنی و قسمت های مختلف مدار کنترل کننده ی ماژول LED با توان اسمی 65 وات که در شرکت صنایع الکترونیک افراتاب ساخته شده است، تشریح شده است. این مدار شامل بخش های اصلی مدار حفاظت و فیلتر EMI ورودی، مدار اصلاح ضری بتوا ن با توپولوژی Boost و مدار درایور ماژول LED است که به صورت یک کنترل کننده جریان ثابت در محدوده تغییرات ولتاژ ورودی و بار خروجی مورد استفاده قرار م یگیرد. ضریب توا ن ...

رگولاتورهای خطی کم توان در کاربردهای پزشکی، نظامی و مخابراتی، مانند استفاده در گلوله های توپ دارای تغذیه داخلی، شبکه مین های دریایی، سیستم های کم مصرف مدارات ماهواره و سیستم های قابل کاشت در بدن موجودات اهمیت فراوانی دارند. در این مقاله، یک رگولاتور خطی تمام مجتمع با تکنیک fcoc ارائه شده است. این رگولاتور را با سه بلوک a، bو cو با پنج بلوک a، b، c،d و e در فناوری mµ13/0 طراحی و نتیجه های آن را ...

در این مقاله یک بلوک مبدل سریال به موازی یک پردازنده FFT 8 نقطه‌ای با استفاده از تکنولوژیum CMOS 13/0 ارائه شده است. به‌دلیل مزیت‌های بسیار مدارهای حالت جریان نسبت به مدارهای حالت ولتاژ، در این طراحی سعی شده است که از این گونه مدارها استفاده شود. بنابراین در این بلوک ابتدا باید ولتاژ ورودی را به جریان تبدیل نمود و سپس برای موازی کردن نمونه‌ها از مدار نمونه‌بردار جریانی استفاده کرد. به منظور قرا...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

افزایش مصرف انرژی و بالا رفتن هزینه آن در جهان، جستجوی گزینه های جدید انرژی را ایجاب می کند. انرژی خورشیدی یکی از در دسترس ترین و پاکترین منابع است. در سالهای اخیر نیمرساناهای آلی به دلیل مزایای گوناگونی از قبیل سنتز کم هزینه و آسان و انعطاف پذیر بودن مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. در این پایانامه، ابتدا سلولهای خورشیدی معرفی، سپس سلولهای خورشیدی معدنی و آلی و سازوکار ترابرد جریان الکتریکی...

در این مقاله یک ناقل جریان نسل دوم (CCII) کلاس AB جدید مبتنی بر حلقه تراخطی با مقاومت ورودی بسیار پایین بر اساس تکنیک فیدبک جریانی مثبت ارائه شده است و عملکرد آن مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. برای اطمینان از عملکرد صحیح مدار و نتایج حاصله تأثیر تغییرات دما، ولتاژ آستانه، تغییرات W/L و همین‌طور تأثیر تغییرات VDD بر این ساختار توسط تحلیل مونت‌کارلو برای سی بار اجرا با خطای 3 % بررسی شده است که...