در این میان آنتنهای آرایه میکرواستریپ به سبب فراهم آوردن امکاناتی نظیر بهره تشعشعی مناسب، جهت تشعشعی متغیر، الگوهای تشعشعی شکل دار و هندسه قابل انعطاف مورد توجه قرار گرفته است. آنتن آرایه ای میکرواستریپ در کاربردهای مخابرات بی سیم، رادار و گستره وسیعی از سیستمهای مایکروویو مدرن، به طور وسیعی استفاده میشود. روشهای متفاوتی برای تغذیه آنتنهای آرایه ای وجود دارد. یکی از این روشها تغذیه سری است. تغذ...

در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه‌ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتد...

در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه‌ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتد...

در آنتن هایی که پلاریزاسیون در جهت موجبر مورد نظر است ، شکاف موازی بر روی دیواره باریک موجبر کاربردهای وسیعی دارد. ولی یکی از معایب این نوع شکاف ، ایجاد پلاریزاسیون متقابل می باشد. شکاف عرضی بر روی دیواره پهن موجبر نیز می تواند پلاریزاسیون در جهت موجبر ایجاد نماید. ولی در آرایه ای از شکافهای عرضی که بر روی موجبر ایجاد می شود، فاصله رزونانس بین شکافها، لبهای بزرگ شده را به وجود می آورد که این فا...

در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتد...

کاربرد بلورهای فوتونی در طول دهه ی گذشته به سرعت در حال گسترش بوده است. بلور فوتونی در مقایسه با شبکه بلور معمولی که بصورت آرایه ای از اتم ها ساخته می شود، به کار می رود. توزیع تناوبی عایق ها در مکان که همان بلور فوتونی است همانند چیدمان منظم اتم ها در بلور معمولی که باعث ایجاد گاف انرژی می شود، محدوده فرکانسی ایجاد می کند که در آن انتشار امواج الکترومغناطیسی امکان پذیر نیست. به این ناحیه گاف ف...

تابش الکترون های ثانوی رزونانسی یا چند بر خوردی در سیستمهای تحت خلا و میدان رادیو فرکانسی، مثل کوپلر ورودی کاواکهای شتابدهنده و موجبرها اتفاق می افتد. کاواکهای ابررسانای طراحی شده توسط دانشگاه کرنل در تعدادی چشمه های نوری سینکروترونی شامل چشمه ی نوری دایموند وتی ال اس که در حال بهره برداری با توان حدود 90 کیلو وات هستند، استفاده می-شوند. قرار بر این است که این نوع کاواکها نیز در تی پی اس که با ...

در این مقاله طراحی، شبیه­سازی و ساخت یک سوئیچ خازنی rf mems موازی کم تلف بروی موجبر هم­صفحه و بستر عایق آلومینا، در باند فرکانس ghz 60-40 ارائه شده است. مکانیزم تحریک این سوئیچ بصورت الکترواستاتیکی است. ابتدا موجبر هم­صفحه برای داشتن امپدانس مشخصه ω50 بروی بستر عایق آلومینا طراحی شده، سپس سوئیچ مورد نظر طراحی و پس از انتخاب ابعاد آن، پارامترهای مهم آن توسط شبیه­سازی المان محدود و موجی کامل با ن...

در پایان نامه حاضر، شبیه سازی عددی انتقال حرارتترکیبی جریان نانوسیال، با استفاده از سیال پایه غیرنیوتنی پاورلا و ذرات اکسید آلومینیوم در طول کانال ارائه شده است. رژیم جریان آرام، جابجایی ترکیبی، سیال تراکم ناپذیر و حالت پایا با وجود انتقال حرارت در سیال غیر نیوتنی عبوری از بین دو صفحه (دما ثابت) و نانوذرات با درصد حجمی (2% و 4% و 6%=?)، به صورت دو بعدی مورد تحلیل قرارگرفته است. معادلات پیوستگی،...

ارتعاشات غیر خطی آزاد و اجباری مربوط به صفحات حلقوی اورتوتروپیک با یک الاستیک حلقه ای شکی مورد مطالعه قرار گرفته است با فرض ارتعاشات هارمونیک و حذف متغیر زمان با استفاده از روش میانگین ریتز – کانتورویچ معادلات دیفرانسیل جزئی خطی ( که به معادلات دوگانه فون کارمن معروف هستند) به معادلات دیفرانسیل معمولی غیر خطی تقلیل می یابد که فرم یک مسئله مقدار – ویژه غیر خطی را دارد. حل مسئله بوسیله مسئله مقدا...