نانوسیم های آلیاژی nicu به روش الکترونهشت پالسی نامتقارن بر روی زیرلایه ی zn در قالب آلومینای آندی تهیه شده به روش آندیزاسیون سخت ساخته شد. با استفاده از الکترولیت های با غلظت مختلف cu2+و همچنین تغییر ولتاژ کاهش الکتروشیمیایی نانوسیم های x-1 nixcu با 5/0 -25/0 x = و قطر حدود 50 نانومتر به دست آمد. نتایج اندازه گیری اشعه ی x نشان داد که در نمونه های مورد بررسی دو فاز بلوری مرکز وجهی نیکل و فاز ب...

در این تحقیق نانوسیمهای آلیاژی cocu و nicu درون حفره های قالب پلی کربنات با قطر اسمی 30nm به روش الکتروانباشت تهیه شدند. به منظور رشد نانوسیمهای cocu و nicu به ترتیب از دو الکترولیت مجزای حاوی نمکهای co، cu وni ، cu استفاده شد. برای بررسی رفتار پتانسیودینامیکی الکترولیتها و تعیین ولتاژ بهینه انباشت، منحنی c‏v مربوط به هر یک از الکترولیتها تهیه و مورد مطالعه قرار گرفت. ساختار نانوسیمها با استفاد...

نانوسیم های مغناطیسی در زمینه های مختلفی مانند حافظه های مغناطیسی عمودی، مقاومت مغناطیسی بزرگ (gmr)، حسگرهای مغناطیسی و بسیاری دیگر کاربرد دارند. تاکنون نانوسیم های مغناطیسی مختلفی شامل نانوسیم های تک عنصری و آلیاژی مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به اثرات مطلوب افزودن عناصر غیر مغناطیسی بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها، ساخت نانوسیم های آلیاژی و بررسی خواص مغناطیسی و ساختاری آن ها مورد توجه قرار...

در این مقاله، نانوسیم های اکسید روی درون قالب نانوحفره ای آلومینای آندایز شده به روش آندایز دو مرحله ای سنتز شدند. ویژگی های فیزیکی نانوسیم های اکسید روی با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف پراکندگی پرتو ایکس و طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و همچنین تغییرات مقاومت الکتریکی با دما توسط سامانه طراحی شده، مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که نانوسیم های اکسید روی دارای قطر 66 ...

در این مقاله با استفاده از روش مکانیک ساختاری و نرم افزار ABAQUS نانو سیم‌های سیلیسیم و مدل‌سازی و تحلیل شده است. میدان‌های نیروی بکار گرقته شده جهت مدل‌سازی در این مطالعه، میدان نیروی DREIDING است. در این تحلیل بار بحرانی کمانشی برای ضخامت-های 1 تا 4 نانومتر با طول‌های 5/0 تا 20 نانومتر محاسبه شده است. نتایج نشان می‌دهد بار بحرانی کمانشی در نسبت های طول به ضخامت نانوسیم، کمتر از 10 از رابطه او...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

در این مقاله، بر اساس نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته، پس از بهینه سازی ساختار نانوسیم های اکسید روی با سطح غیر اشباع و اشباع شده با اتم های هیدروژن در جهت [000 1  ] ، به مطالعه اثرات فشار تک محور بر ساختار نانوسیم و محاسبه مدول یانگ و ضریب مؤثر پیزوالکتریک آنها پرداخته ایم. همچنین تأثیر فشار تک محور بر قسمت موهومی تابع دی الکتریک را نشان داده ایم.