در این پایان نامه، نانوساختارهای یک بعدی tio2 به روش vls تهیه شدند. بطور کلی ساخت نانوسیم های tio2 شامل سه مرحله ی اساسی می باشد: نخست، لایه نازکی از تیتانیوم به روش پرتوالکترونی در خلاء mbar 5-10×5/1 بر زیرلایه کوارتز لایه نشانی شد. سپس به روش کندوپاش لایه نازکی از طلا به ضخامت nm 3 بر روی تیتانیوم پوشش داده شد. در مرحله ی نهایی محصول بدست آمده در کوره ی استوانه ای قرار داده شد و نانوسیم های t...

نانوساختارهای یک بعدی 2‏tio‏ به علت کاربردهای گوناگونشان در زمینه سنسورهای گازی، طراحی های ‏اپتیکی، فتوکاتالیست و سلول های خورشیدی در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. اهمیت تکنولوژی ‏نانوسیم های 2‏tio‏ نتیجه ای ازشکل یک بعدی آنها است که باعث می شود خواص اپتیکی و الکتریکی جدیدی پیدا ‏کنند و برای بسیاری ازکاربردها مفید واقع شوند.‏ نانوساختارهای یک بعدی 2‏tio‏ را می توان به دو روش شیم...

در این مقاله، نانوسیم های اکسید روی درون قالب نانوحفره ای آلومینای آندایز شده به روش آندایز دو مرحله ای سنتز شدند. ویژگی های فیزیکی نانوسیم های اکسید روی با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف پراکندگی پرتو ایکس و طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و همچنین تغییرات مقاومت الکتریکی با دما توسط سامانه طراحی شده، مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که نانوسیم های اکسید روی دارای قطر 66 ...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

در این مقاله، نانوسیم‌های TiO2 به روش هیدروترمال بر روی زیرلایه Ti رشد داده شد و سپس مورفولوژی و ساختار نمونه با استفاده از تکنیک‌های SEM و XRD بررسی شد. با استفاده از الگوهای پراش، مشخصات میکروساختاری از جمله اندازه دانه‌های بلور، میکروکرنش، کرنش حجم و ضریب بافت مورد مطالعه قرار گرفت. تصویر SEM وجود نانوسیم‌هایی با قطر nm 20-110 و طول‌هایی با ده‌ها میکرومتر را نشان داد. در مراحل رشد...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی ...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

هدف اصلی این رساله طراحی، ساخت، و شناسایی کاتالیزگرهای نوری نانوساختار بر پایه tio2 و بررسی کاربرد این دسته از مواد در انجام تبدیلات کاهشی تحت تابش نور مرئی می¬باشد. مطالعات انجام شده در این رساله در سه فصل تقسیم¬بندی شده است. در فصل اول، ضمن معرفی کلی نیمه¬رسانا و کاتالیزگر نوری بویژه تیتانیا و اهمیت واکنش¬های کاتالیز شده نوری از نظر مسأله انرژی و شیمی سبز پرداخته شده است. در ادامه فصل، تهیه ...