در سال های اخیر، با توجه به گسترش صنعت برق و الکترونیک، تقاضا برای مواد با ثابت دی الکتریک زیاد به شدت رو به افزایش است. در کاربردهای عملی، این مواد عمدتاً به شکل کامپوزیت های پلیمری حاوی انواع پرکننده های سرامیکی و رسانای فلزی و غیرفلزی طراحی و استفاده می شوند. هر گونه ای از این پرکننده ها با سازوکار مشخصی خواص دی الکتریک کامپوزیت نهایی را بهبود می دهند. در این میان، استفاده از ذرات سرامیکی روش...

سرامیک­های دی الکتریک به دلیل تنوع در ترکیب و داشتن ویژگی­های دی الکتریک منطبق با نیازمندی­های صنعت الکترونیک و ارتباطات بیسیم به­شدت مورد توجه واقع شده­اند. از جمله این سرامیک­ها، می­توان به کامپوزیت­های سرامیکی اشاره کرد که با ارائه ویژگی­های دی الکتریک مطلوب در محدوده فرکانس امواج مایکروویو و با داشتن یک فاز سرامیکی دی الکتریک و یک فاز شیشه به­عنوان کمک­زینتر در فناوری پخت همزمان کم­دمای سرا...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

در پژوهش حاضر تأثیر افزودن آلومینای نانو اندازه به پرسلان آلومینایی مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج حاصله نشان داد که افزودن نانو آلومینا سبب افزایش استحکام خمشی و نیز افزایش استحکام دی الکتریک در پرسلان آلومینایی می گردد. به طوریکه افزایشwt%3 نانو آلومینا به بدنه پرسلان آلومینایی پایه، استحکام مکانیکی را 9% و استحکام دی الکتریکی را 15% افزایش می دهد. حضور فازهای کوراندوم و مولایت سوزنی و نیز ...

چکیده با توجه به گسترش صنعت برق و الکترونیک، تقاضا برای مواد با ضریب دی¬الکتریک بالا، فرایندپذیری آسان و دوام زیاد رو به گسترش است. یکی از رایج¬ترین روش¬ها برای دستیابی به این هدف استفاده از کامپوزیت های پلیمری است. استفاده از پرکننده¬هایی مانند ذرات سرامیکی با ضریب دی¬الکتریک بالا و یا ذرات فلزی/کربنی با رسانایی بالا در بستر پلیمری معمول است که هر یک نقاط قوت و ضعف خاص خود را دارند. هدف از...

امروزه ابعاد قطعات و تراشه های الکترونیکی وارد حوزه نانو مقیاس شده است. ترانزیستورهای فیلم نازک با مواد آلی (otft) با گیت دی الکتریک بسیار نازک هیبریدی مواد آلی و معدنی درکار حاضر دارای خواص الکتریکی خوب از جمله ثابت دی الکتریک بالا و چگالی جریان نشتی کم در ضخامت کمتر از 40 نانومتر هستند.پژوهشگران دریافتند که گیت های دی الکتریک پلیمر، دارای ثابت دی الکتریک پایین وچگالی جریان نشتی عبوری بالاهستن...

مقدمه: با استفاده از نانو ذرات نقره با خاصیت اپتیکی منحصر به فرد و قابل تنظیم، نانوحسگرهای زیستی طراحی و ساخته می­شوند. در این مقاله یک نانو پوستۀ کروی دو لایه شامل دی الکتریک و نقره بر اساس تشدید پلاسمون سطحی به عنوان حسگری زیستی معرفی شده است. روش بررسی: با تاباندن نور بر نانو پوستۀ کروی، بر اثر بر همکنش قوی بین پلاسمون­های سطحی پوسته و حفرۀ داخلی کره، طیف جذبی شدیدی در گسترۀ طول موج 1400-400...

در این پژوهش تاثیر اندازه نانوذرات طلا، نقره و محیط دی الکتریک اطراف نانوذره، بر طول موج و شدت تشدید پلاسمون سطحی (spr) با استفاده از نظریه ی مای و نرم افزار fdtd مورد بررسی قرار گرفته است. در طیف محاسباتی، قله جذبی در حدود 500 و 400 نانومتر به ترتیب برای نانو ذرات طلا و نقره ظاهر می شود. با افزایش اندازه نانوذرات طلا و نقره جابه جایی قرمز برای قله جذبی تشدید پلاسمون سطحی مشاهده می شود. هم چنین...

انبوهه و نانو لایه‌ی GaAs به دلیل کاربردهای وسیع مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته اند. به دلیل اهمیت نانو لایه GaAs ، در این مقاله با استفاده از دو ناخالصی Mn و Fe احتمال ایجاد گذار فاز رسانا به نیم‌رسانا و برعکس هچنین چگونگی جابجایی ستیغ های ضرایب اپتیکی این نانو لایه‌‌ها مورد بررسی قرار می گیرد. به این منظور ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی نانو لایه ی GaAs خالص و آلائیده شده با...