پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است

در این پژوهش خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله زیگزاگ (0,9) gaas خالص و آلایش یافته با 11/11 درصد عناصر واسطه( sc, ti, cr, mn , fe, co, ni) در دو وضعیت دور و نزدیک، با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگالی و تقریب چگالی موضعیlda توسط کد محاسباتی siesta مطالعه شده است. ساختار نواری نشان دهنده این است که نانولوله خالص زیگزاگ (0،9) gaas نیم رسانای غیرمغناطیسی با گاف نواری مستقیم است.آلایش 11/11 درصد...

دراین پژوهش نانو ذرات نیم­رسانای اکسید روی رقیق شده با یون منگنز­ ­­به ­روش سل- ژل خود احتراقی با فرمول کلی zn1-x mnxo (x = 0,0, 0.03, 0.05, 0.07, 0.1) تهیه شد. تک فاز بودن همه­ی نمونه­ها ­و ­اندازه­ی بلورک­ها به کمک پراش پرتو ایکس و رابطه­ی شرر و بیناب فروسرخ فوریه مورد تایید قرار گرفت. اندازه­ی ذرات­­ با میکرسکوپ الکترونی عبوری در حد چندنانومتر براورد شد. بیناب­های فروسرخ نمونه­ها ( ftir) نشا...

اکسید تیتانیوم یا تیتانیا از کاربردهای بسیار وسیعی برخوردار است و از این رو توجه فوق العاده پژوهشگران و صنعتگران را به خود جلب کرده است. با فراهم شدن امکان ساخت نانو ذرات و نانو لایه های تیتانیا شاهد تغییرات جالبی در خواص فیزیکی و شیمیایی آن هستیم. از طرف دیگر، نیمرسانا های مغناطیسی رقیق نیمرساناهایی هستند که با تزریق موثر اسپین اتم های جانشانی مغناطیسی مانند فلزات واسط دارای خواص مغناطیسی میشو...

آلاییدن عایق ها و نیم رساناها به منظور مغناطیسی کردن این مواد در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. چنین موادی کاربرد فراوانی در صنعت از جمله صنعت اسپینترونیک دارند. می توان به جای آلاییدن این مواد، از طریق کپسوله کردن سیم های مغناطیسی و یا نانوذرات مغناطیسی در داخل نانولوله های نیم رسانا آن ها را مغناطیسی کرد. همچنین رشد ساختار نانوذرات مغناطیسی مانند نانوذره ی آهن به دلیل اکسیده شدن...

چکیده ندارد.

در فصل اول تئوری تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفت. در فصل دوم به مطالعه خواص نیمرسانائی و مغناطیسی پرداخته شد. در فصل سوم خواص ساختاری و مغناطیسی سه ساختار انبوهه zno مورد بررسی قرار گرفت. برای اینکار ابتدا ابریاخته مناسب تولید و سپس آلائیدن با درصدهای مختلف به عنوان ناخالصی مغناطیسی مورد بررسی قرار دادیم. سپس خواص الکترونی و مغناطیسی لایه نازک خالص و آلائیده شده با منگنز را برای هر سه ساختار ا...

در این مقاله، اثر مقدار ناخالصی مغناطیسی یون mn ، میدان مغناطیسی و دما بر روی ماده ی نیمه رسانای مغناطیسی رقیق (cd, mn)te که به فرم نقطه کوانتومی کروی می باشد بررسی می شود. مشاهده شده است (1) پایین ترین انرژی قیدی نسبت به شعاع نقطه کاهش می یابد (2) انرژی یونش هنگامی که اثرات بر همکنش اسپینی در نظر گرفته می شود بزرگ تر است (3) با افزایش غلظت یون مغناطیسی انرژی یونش افزایش می یابد (4) تغییرات مغن...

اخیرا نیمه رساناهایی که در غلظت های پایین با فلزات انتقالی ترکیب شده اند، و نیمه رساناهای مغناطیسی رقیق شده نامیده می شوند، بدلیل دارا بودن خاصیت فرومغناطیسی در دمای اتاق مورد توجه قرار گرفته اند. در این تحقیق خواص مغناطیسی یکی از مواد با عنوانfexti1-xo2 که در آن x از صفر تا 0/5 می باشد را بررسی می کنیم. طیف موزبائر نمونه های مربوطه نشان می دهد که در این ماده fe جایگزین اتم های ti می شود و دو ی...

چکیده ندارد.