اخیرا نیمه رساناهایی که در غلظت های پایین با فلزات انتقالی ترکیب شده اند، و نیمه رساناهای مغناطیسی رقیق شده نامیده می شوند، بدلیل دارا بودن خاصیت فرومغناطیسی در دمای اتاق مورد توجه قرار گرفته اند. در این تحقیق خواص مغناطیسی یکی از مواد با عنوانfexti1-xo2 که در آن x از صفر تا 0/5 می باشد را بررسی می کنیم. طیف موزبائر نمونه های مربوطه نشان می دهد که در این ماده fe جایگزین اتم های ti می شود و دو ی...

پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است

در این پژوهش به مطالعه نظری خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین یک نانوساختار استخوان ماهی شامل دو اتم مغناطیسی در دو انتهایش پرداخته شده است. رسانش الکتریکی این نانو ساختار برای چند جهت گیری متفاوت گشتاورهای مغناطیسی این اتم ها که به دو رسانای غیرمغناطیسی نیمه نامحدود متصل اند، مورد بررسی قرار گرفته است. به کمک روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به محاسبه و مقایسه ضریب عبور الکترونی وابسته به اس...

آلاییدن عایق ها و نیم رساناها به منظور مغناطیسی کردن این مواد در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. چنین موادی کاربرد فراوانی در صنعت از جمله صنعت اسپینترونیک دارند. می توان به جای آلاییدن این مواد، از طریق کپسوله کردن سیم های مغناطیسی و یا نانوذرات مغناطیسی در داخل نانولوله های نیم رسانا آن ها را مغناطیسی کرد. همچنین رشد ساختار نانوذرات مغناطیسی مانند نانوذره ی آهن به دلیل اکسیده شدن...

در این پژوهش خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله زیگزاگ (0,9) gaas خالص و آلایش یافته با 11/11 درصد عناصر واسطه( sc, ti, cr, mn , fe, co, ni) در دو وضعیت دور و نزدیک، با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگالی و تقریب چگالی موضعیlda توسط کد محاسباتی siesta مطالعه شده است. ساختار نواری نشان دهنده این است که نانولوله خالص زیگزاگ (0،9) gaas نیم رسانای غیرمغناطیسی با گاف نواری مستقیم است.آلایش 11/11 درصد...

در این مقاله، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی یکی از جدیدترین دگر شکل های کربنی برمبنای نظریه تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k بررسی شده است. نتایج ما نشان می دهند که این ساختار از نظر الکترونی و مغناطیسی، با داشتن گاف انرژی ای در حدود 2/2 الکترون-ولت و گشتاور مغناطیسی کل 0013/0 مگنتون بوهر به ازای هر سلول یکه، تقریبا یک نیمه رسانای غیر مغناطیسی است. همچنین، از نظر خواص اپتیکی ن...

چکیده ندارد.

مغناطش مرسوم ناشی از اوربیتال نیمه پر d یا f عناصر واسطه و قلیایی خاکی شناخته شده است. بعد ازمشاهده ی مغناطش ناشی از اوربیتال p حوزه ی جدیدی در علوم مغناطیس گشوده شده است. مغناطش اوربیتال p به دو صورت است : 1- ناشی از نقایص شبکه، تهی جاها یا اتم های خارجی 2- ناشی از خود اتم های سیستم . ما در اینجا بلور can را که از نوع دوم است، مورد بررسی قرار می دهیم. رفتار فرومغناطیسی این سیستم، غالبا همراه ب...

در این مقاله اثر ناهمواری فصل مشترک بر روی عبوردهی الکتریکی وابسته به اسپین در یک اتصال تونل­زنی مغناطیسی بررسی می­شود. در محاسبات از روش ماتریس انتقال و تقریب جرم مؤثر برای محاسبۀ احتمال عبور استفاده شده است. ساختار مغناطیسی دو سدی مذکور شامل دو نیم رسانای فرومغناطیسی جدا شده­ با یک لایۀ غیرمغناطیسی است که به دو الکترود فلز غیرمغناطیسی متصل هستند. مؤلفه­های مختلف احتمال­ عبوردهی وابسته به اسپی...