تئوری پراکندگی برای ترابرد، ارائه دهنده یک چارچوب نظری دقیق برای توصیف سیستم‏های طبیعی می‏باشد. این روش اجازه می‏دهد تا محاسبه هر مقدار مورد توجه را تحت شرایط عدم تعادل با استفاده از یک فرمت ساده از مکانیک آماری تعادلی، بدون نیاز به حل معادلات جنبشی پیچیده، محاسبه کنیم. در این مطاله نرخ پراکندگی الکترونی با استفاده از روش اختلالی در گستره دمای100 تا 600 کلوین محاسبه شده است. پراکندگی‏های فونون ...

نانولوله های کربنی، مواد ایده آلی هستند که در ساخت ادوات الکترونیکی در ابعاد نانو بکار می روند. یکی از علل مقاومت الکتریکی سیستم های نانومقیاس در دمای پایین مکانیسم پراکندگی الاستیک می باشد. از جمله پراکندگی های الاستیک می توان مراکز کولنی و برهم کنش الکترون- الکترون را نام برد. در این پروژه، نظریه پراکندگی ناخالصی کولنی دور در نانولوله های تک جداره با استفاده از تقریب تک الکترون مورد بررسی قرا...

در مسیر جستجوی درک الکترونهای همبسته, ابررسانایی دمای بالا هنوز به عنوان یک چالش بزرگ و هم یک منبع درک بیشتر ما باقی مانده است. این مقاله به طور خلاصه دستاوردهای اصلی مطالعه ترابرد گرمایی در دماهای پایین را بیان می کند. در دماهای خیلی پایین شبه ذرات گره ای در گاف ابررسانایی –d موجی تبدیل به حاملین اصلی حرارت می شوند. بی نظمی در رسانندگی حرارتی آنها تاثیری نمی گذارد که این بازتابی از خواص زیر گا...

در این مقاله نحوه باز توزیع ناخالصی آرسنیک و تاثیر آن را بر روی سرعت رشد اکسید سیلیسیم که به روش اکسیداسیون گرمایی )در دمای 900c° و با استفاده از بخار آب( رشد داده شده است بررسی می کنیم. ناخالصی آرسنیک به وسیله کشت یونی با انرژی 100kev در نمونه سیلیسیم با جهت بلوری (100) کاشته شده و اثر ناخالصی آرسنیک با غلظتهای 2×1016as+/cm2و 5×1016as+/cm2بر سرعت رشد اکسید سیلیسیم به وسیله اندازه گیری ضخامت اک...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...

با پیشرفت¬های چند دهه اخیر تکنولوژی خلا امکان ایجاد محیط¬هایی با فشار کمتر از ? 10?^(-11) torrفراهم شده است. در چنین شرایطی رشد لایه¬های نانومتری کیفیت نیمرسانا با چگالی ناخالصی زمینه کمتر از ?10?^14 atom?(cm^3 ) میسر شده است و متعاقب آن ساختارهای چند لایه¬ای نا¬متجانس نیمرسانا به کمک روش¬های پیشرفته¬ای مانند رونشانی پرتو مولکولی (mbe) رشد یافته¬اند. ساختارهای algaas/gaas/algaas به دلیل اینکه د...

دراین پژوهش با توجه­به کاربردهای فراوان نانولوله­های­کربنی درقطعات نانویی الکترونیک، طیف سنجی پراکندگی رامان نانولوله­های کربنی ­بررسی­شده است. در ابتدا به­صورت تجربی طیف رامان نانولوله کربنی خالص وآلاییده مورد بحث قرارگرفته و سپس طیف شبیه سازی نظری بیان­شده و نتایج مقایسه­شده­است.     با­توجه­به طیف­های به­دست­­آمده، در مقایسه با داده­های تجربی تطابق خوبی مشاهده شده­است. درنانولوله­کربنی­خالص،...

در این تحقیق قصد داریم آثار تزریق ناخالصی های گیرنده و دهنده به عنوان نمونه اتم های نیتروژن و برن که نقش پتانسیل های جاذب و دافع را برای شبکه میزبان (کربن) بازی می کنند، روی خواص ترابری شبکه دولایه ایی گرافن بررسی کنیم. جهت بررسی میکروسکوپیک این اثر، از مدل هامیلتونی تنگ بست به علاوه یک جمله درون سایتی که معرف هامیلتونی پراکندگی ازاتم های ناخالصی است استفاده می کنیم. این هامیلتونی پراکندگی دارا...

ساختارهای دور آلاییده در طراحی، مطالعه و عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی ( fet)کاربرد دارند. به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یا رسانش یک چاه کوانتومی شکل می گیرد، که باعث ایجاد یک گاز حامل دو بعدی در فصل مشترک ناهمگون این ساختارها می شود. به دلیل جدایی فضایی بین حامل های آزاد دو بعدی و ناخالصی های یونیده در ساختارهای دور آلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و در نتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی های یونی...