در سال های اخیر نانوسیم های مغناطیسی چندلایه به ویژه چندلایه های مغناطیسی/غیرمغناطیسی، بواسطه هندسه ی منحصر به فرد و تغییرات بزرگ مقاومت که در حضور میدان از خود نشان می دهند، اهمیت نانومغناطیس را به طور قابل ملاحظه افزایش داده اند. در راستای تحقیق و بررسی این نانوساختارها، نانوسیم های چندلایه fe/cu، با بهینه سازی شرایط الکتروانباشت پالسی و در قالب اکسید آندی ساخته شدند. در این پژوهش ساختار و ری...

چندلایه ای مغناطیسی   /fe(20å)(xå)/ag(åfe(20 xrdلایه نشانی شدند. خواص ساختاری نمونه­ها توسط mbar6-10× 2  توسط دستگاه تبخیرحرارتی در خلأ کاری ag با ضخامت­های متغییرلایه­جداکننده و همچنین پاسخ مغناطیسی نمونه­ها دردماهای پایین توسط دستگاه اندازه گیری خواص فیزیکی و دردمای اتاق توسط مغناطیس سنج نمونه مرتعش بررسی شد. محورآسان مغناطش برای این نمونه ها درون صفحه­ای اندازه­گیری شد. با کاهش ضخامت لایه جد...

خواص ساختاری و مغناطیسی چند لایه ای fe/sb/mn تحت تاثیر تغییر در ضخامت لایه جدا کننده غیر مغناطیسی sb بررسی شد و مشاهده شد که با تغییر این ضخامت جفت شدگی بین دو حالت فرومغناطیس و پادفرومغناطیس تغیییر می کند.

چندلایه های فلزی، با ضخامت نانومتری لایه ها، به دلیل ویژگی های مکانیکی، الکتریکی و مغناطیسی در سال های اخیر توجه گسترده ای را به خود جلب کرده اند. در این پژوهش، کامپوزیت چندلایه مس- نقره با ساختار نانو با استفاده از فرآیند نورد اتصالی تجمعی تولید شد. در ادامه، رفتار تغییر شکل همزمان لایه های مس و نقره و ناپایداری پلاستیک آنها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی بررسی گردید. در این بررسی مشاهده شد ...

چندلایه ای های مغناطیسی fe(20?)/ag(x?)/fe(20?) و (fe(20?)/ag(x?)/co(20?)با ضخامت متغیرلایه جداکننده ی ag در ضخامت های 10، 20، 40 آنگستروم توسط تبخیر حرارتی در خلأ، روی بستر سیلیکونی، در دمای اتاق در فشار mbar 7-10×4 لایه نشانی شد. خواص ساختاری xrd و xrr و خواص مغناطیسی توسط vsm و ppms بررسی شدند. نتایج بازتاب پرتو ایکس ساختار تناوبی نمونه ها و افزایش ناهمواری در چندلایه ای fe(20?)/ag(x?)/co(20?...

پاسخ‌های اپتیکی و مغناطواپتیکی بلورهای مغناطوفوتونی با لایه نقص مغناطیسی که در بین دو آینه براگ دی‌لکتریک احاطه شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. این ساختارها دارای پتانسیل بالقوه‌ای برای کاربرد در ابزارهای مغناطواپتیکی و اپتیک مدارهای مجتمع می‌باشند. آینه‌های براگ، متشکل از ساختارهای چندلایه از مواد SiO2  و Ta2O5  می‌باشد. با معرفی ماده Ce:YIG به عنوان لایه نقص مغناطیسی، افزایش عبور و زاویه ...

بدنبال کشف "پدیده مقاومت مغناطیسی بزرگ" در اواخر سالهای 1980، مطالعه خواص مغناطیسی چند لایه ای های مغناطیسی اهمیت ویژه ای یافت و به دلیل کاربرد فراوان آنها در صنعت الکترونیک اهمیت اینگونه چند لایه ای ها دو چندان شد. بدین جهت در این کار تجربی به مطالعه خواص فیزیکی تک لایه ای آهن و سه لایه ای fe/cu/fe و مقایسه آنها، پرداخته شده است. ساختار بلوری نمونه های رشد داده شده به روش تبخیر حرارتی با استفا...

با استفاده از تئوری ساده موج اسپینی، مغناطش و پارامتر سختی موج اسپینی (b) در حضور جفت شدگی تبادلی بین لایه ای و میدان مغناطیسی کاتوره ای برای چندلایه ای fe(110)/ag(111) به دست آمده است. ساختارهای مغناطیسی فوق نازک کاربردهای فراوانی در نانوتکنولوژی به عنوان مثال اسپینترونیک دارند، که از آن جمله می توان به حسگرهای مغناطیسی، ضبط مغناطیسی داده ها با چگالی بالا، mram و غیره اشاره کرد. همچنین می توان...

چندلایه ای[ni(3nm)/sn(xnm)/fe(3nm)] 4 با روش تبخیر حرارتی، روی بستر سیلیکونی، در دمای اتاق و در فشار خلأ 6×?10?^(-7) میلی بار تهیه شدند. لایه ی آلومینیومی با ضخامت 4 نانومتر به عنوان پوشش محافظ لایه نشانی شد. مجموعه شامل نمونه های با ضخامت جداکننده x=2,4 nm است. خواص مغناطیسی و ساختاری مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بازتاب پرتو ایکس، کامل تر شدن ساختار تناوبی و ناهمواری را با افزایش در ضخامت لایه ...