نتایج جستجو برای: چگالی حالت های فونونی
تعداد نتایج: 489361 فیلتر نتایج به سال:
در این مقاله با استفاده از روش ماتریس انتقال در تقریب هماهنگ، به مطالعه خواص فونونی و گرمایی یک نانو بلور می پردازیم. سامانه مورد بررسی یک بلور جرم - فنر با ساختار مکعبی ساده و با سطح مقطع مربعی است. ابتدا برای چنین دستگاهی در حالت ایده آل، طیف بسامد فونونی را در شرایط مرزی باز به دست می آوریم. سپس خواص ترابرد فونونی نانو ساختار از جمله چگالی حالت ها و ضریب عبور فونونی را در شرایط مختلف فیزیکی ...
در این مقاله با در نظر گرفتن تقریب هماهنگ و به کمک روش ماتریس انتقال، به بررسی خواص فونونی و گرمایی یک دستگاه نردبانی می پردازیم. ابتدا یک مدل متشکل از دو زنجیره اتمی نامحدود با جرم های متفاوت ارائه می کنیم، که در آن جرم ها به وسیله فنرهای همسایه اول و دوم به یکدیگر متصل شده اند. سپس طیف بسامد فونونی این دستگاه را به دست می آوریم. در ادامه اثر تغییرات جرم را بر بسامدهای ویژه بررسی می کنیم. پس ا...
این تحقیق با هدف بررسی خواص فونونی و گرمایی نانو ساختارها از جمله طیف بسامد فونونی، چگالی حالت های فونونی، ضریب عبور فونونی و رسانندگی گرمایی انجام شده است. روشی که به کار برده می شود، روش ماتریس انتقال است. محاسبات در تقریب هماهنگ و با در نظر گرفتن اثر همسایه ی نزدیک انجام شده است. مطلب ابتدا با نانو ساختارهای یک بعدی آغاز شده، خواص فونونی و گرمایی زنجیره های اتمی در شرایط مختلف مورد بررسی قرا...
در این مقاله خواص الکترونی، فونونی و مکانیکی بلور gan در حالت انبوهه، برای دو فاز مکعبی بلندروی و شش گوشی ورتسایت با استفاده از نظریه ی تابعی چگالی، تقریب شیب تعمیم یافته و استفاده از شبه پتانسیل مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج بررسی خواص الکترونی نشان داد که این بلور در فازهای بلندروی و ورتسایت نیم رسانا، با گاف انرژی 2 و 2/2 الکترون-ولت است. با منطبق نمودن نمودار انرژی بر حسب پارامترهای شبکه...
در این مقاله، خواص ساختاری، فونونی و حرارتی Co2MnGe و Co2MnSi محاسبهشده و با یکدیگر مقایسه گردیدهاند. خواص ساختاری با دیگر نتایج نظری و تجربی همخوانی خوبی دارد. با استفاده از نظریه تابعی چگالی اختلالی و بسته محاسباتی کوانتوم اسپرسو، محاسبات پراکندگی فونونی در جهتهای مختلف انجام شد. محاسبۀ چگالی حالتهای فونونی کلی و جزئی نشان داد که با افزایش جرم، سهم اتمها در بسامدهای بالاتر کاهش مییابد....
به وسیله ی نظریه تابعی چگالی اختلالی، پاشندگی فونونی، چگالی حالت های فونونی، ظرفیت گرمایی ویژه و خواص مکانیکی نانولوله های کربنی تک دیواره باریک (دسته صندلی و زیگزاگ) با استفاده از شبه پتانسیل فوق نرم محاسبه شده است. در تحقیق حاضر برای محاسبه ی اثر ناخالصی، یک اتم کبالت در مرکز یک یاخته بسیط نانولوله ی کربنی (0و5)، در نظر گرفته می شود.
در این پروژه، خواص ساختاری و الکترونی بلور ?-mnas را مورد بررسی قرار دادیم. ?-mnas دارای فاز ساختاری هگزاگونال از نوع nias با نظم اسپینی فرومغناطیس است. بلور ?-mnas یک سیستم فلزی است از این رو در نمودار چگالی حالات الکترونی و همچنین ساختار نواری آن، گاف انرژی مشاهده نشد. در نمودار چگالی حالات کل بلور mnas ، به طور تقریبی شکافتگی اسپینی حدود 4ev وجود داشت و در نمودار چگالی حالت های جزیی این سیست...
در این مقاله خواص الکترونی، فونونی و مکانیکی بلور GaN در حالت انبوهه، برای دو فاز مکعبی بلندروی و شش گوشی ورتسایت با استفاده از نظریهی تابعی چگالی، تقریب شیب تعمیم یافته و استفاده از شبهپتانسیل مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج بررسی خواص الکترونی نشان داد که این بلور در فازهای بلندروی و ورتسایت نیمرسانا، با گاف انرژی 2 و 2/2 الکترون-ولت است. با منطبق نمودن نمودار انرژی بر حسب پارامترهای شبکه...
در این مقاله ویژگیهای ساختاری، الکترونی و فونونی ایندیم نیترید در فاز ساختاری ورتسایت مورد بررسی قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم- اسپرسو انجام شده است.در محاسبات برای جملۀ تبادلی همبستگی ,تقریب های LDA،GGA و PBE0 به کار گرفته شده است. نتایج نشان میدهد که ایندیم نیترید در فاز ساختاری هگزاگونال یک گاف نواری مس...
محاسبات اصول اولیه خواص ساختاری، کشسانی و پاشندگی فونونی تنگستن تری اکسید((wo3 مکعبی با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) و روش شبه پتانسیل فوق نرم، بر اساس نظریه تابعی چگالی انجام شده است. وابستگی فشار نسبت به ثابت های کشسانی، مدول های حجمی، مدول های برشی، مدول های یانگ، دمای دبای کشسانی، ضریب ناهمسانگردی کشسانی، نسبت پواسون، شکل پذیری، سرعت های کشسان و پارامتر کلینمن نشان داده شده است. تجزیه و تحلی...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید