در این رساله، با استفاده از تقریب بستگی قوی تک نواری و رهیافت تابع گرین، اثر ناهمواری بر مقاومت مغناطیسی تونل زنی (tmr) در پیوندگاه های fe/mgo/fe محاسبه شد. پدیده ی tmr در اثر تونل زنی اسپین الکترون در پیوندگاه های مغناطیسی تونل زنی مشاهده می شود. این پیوندگاه ها از لایه های فرومغناطیسی که توسط لایه ی نازک عایق از هم جدا شده اند، تشکیل شده است. به دلیل مشاهده ی مقادیر زیاد tmr برای سد بلوری mgo...

در دهه های اخیر گرمایش تاج خورشید از مباحث مهم فیزیک خورشید بوده است. نظریه مغناطوهیدرودینامیک از موفق ترین نظریه ها در این زمینه بوده است. میرایی و جذب تشدیدی امواج آلفن برای توجیه دمای بالا از سازوکارهای مهم می باشد. بررسی ساختار تعادلی و نوسانی تاج از عمده کارهای انجام شده می باشد. در فصل اول مروری کلی بر ساختارهای داخلی و جو خورشید خواهیم داشت. در فصل دوم تاج را به صورت جزیی تر و کامل تر بر...

در این پایان نامه ابتده مساءل حساب تغییرات با کرانهای متحرک و مساءل مقید مورد بررسی قرار می گیرد. سپس به حل این مساءل با روشهای عددی می پردازیم. این روشها عبارتند از روش تجزیه آدومیان; روش تکرار تغییراتی ; روش اختلال هموتوپی ; روش تداخل تغییراتی هموتوپی و روش انطباق.

در این کار ما به مطالعه خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در یک سه لایه ای مغناطیسی می پردازیم. اتصالات تونلی (mtj) بعلت داشتن ویژگی های منحصر به فرد ازجمله مقاومت مغناطیسی (tmr) بالا مورد توجه قرار گرفته اند. ساختار مورد بررسی به طور خاص fe-mgo-fe می باشد که به واسطه وجودfe بعنوان یک فرومغناطیس شاهد تغییر در انرژی الکتروستاتیکی ساختار باتغییر در حالتهای اسپینی اتم های مجاور بوسیله کوپل شدن ...

در این تحقیق، هدف، شبیه سازی ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوسیم سیلیکونی با گیت فراگیر و بررسی اثر کرنش روی پارامترهای این افزاره و مشخص? جریان- ولتاژ آن است. ابتدا به بررسی وابستگی ساختار نوار انرژی آن و درنتیجه جرم موثر الکترون و شکاف انرژی به پارامترهای مختلف افزاره مانند انداز? نانوسیم (برای شعاع های سیم 1.5 تا 4 نانومتر) و جهت کریستالی ([100], [110], [111]) می پردازیم و سپس جرم موثر و شکاف ان...

فتالوسیانین‏ مس یکی از ترکیبات مهم خانواده‏ی فتالوسیانین‏های فلزی است که کاربرد فراوانی درصنعت‏های نساجی و نقاشی به عنوان رنگدانه و همچنین الکترونیک و اپتوالکترونیک به عنوان لایه‏ی بافر در دیود‏های آلی نورگسیل، ترانزیستورهای اثر میدانی آلی،حسگرهای نوری، شیمیایی و غیره دارد. با وجود انجام مطالعات تجربی و نظری روی فتالوسیانین مس، هنوز هم بسیاری از رفتارها و خواص این ماده قابل مطالعه و تحقیق است. ...

خورشید ستاره ای فعال از لحاظ مغناطیسی است. یکی از نواحی خورشید که میدان مغناطیسی در تحولات آن نقش موثری دارد، تاج خورشید است. تاج خورشید ازجمله مناطق خورشید است که در آن پدیده های فیزیکی شگفت انگیزی رخ می دهد. یکی از این پدیده ها گرمایش تاج خورشید است. دمای سطح خورشید (شید سپهر) در حدود 6000 درجه کلوین است، اما در لایه های بالاتر دما تا 2000000 درجه کلوین افزایش می یابد. یکی از پاسخ هایی که می ...

جریان خاموشی بالا و کم بودن نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن، یکی از معایب و مشکلات مجتمع سازی این نوع افزاره ها است. در نتیجه بر آن شدیم تا ساختار هایی را معرفی کنیم که این مشکلات را به حداقل برسانیم. در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن و همچنین مهندسی اتصالات سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کاهش جریان ...

با استفاده از قاعده طلایی فرمی عبارتی برای میزان گسیل خودبخودی بین دو تراز اتمی ارائه می شود که بر حسب توابع بستگی میدان الکتریکی می باشد. با استفاده از قضیه اتلاف- افت و خیز و فرمول کیوبو در مکانیک آماری ، عبارت حاصل بر حسب قسمت های موهومی توابع گرین پتانسیل برداری نوشته می شود و سرانجام با محاسبه توابع گرین مربوط به سیستم متشکل از یک اتم واقع در کنار یک تیغه فلزی ، میزان گسیل خودبخودی محاسبه ...

در این پژوهش با روش نظری و با استفاده از کد محاسباتی سیستا (siesta) که بر اساس نظریه تابعی چگالی (dft) می باشد و در چارچوب تقریب های تبادلی- همبستگی lda و gga، خواص الکترونی مولکول خالص تتراسین(n=4) و نیز با قرار دادن یک، دو و چهار حلقه فنیل بر روی جایگاه های متفاوت مولکول، محاسبه و با یکدیگر مقایسه شد. نتایج نشان می دهد که اندازه گاف homo-lumo و انرژی حالت پایه برای مولکول تتراسین، به ترتیب 72...