در این مقاله توسط رهیافت تنگابست با استفاده از روش ماتریس انتقال و تقریب همسایه اول به بررسی رسانش الکترونی یک چندپار پلی استیلن محصور بین دو زنجیره ساده پرداخته؛ و با افزودن مولکول های بنزن به پلی استیلن رسانش سامانه را در تبدیل آن به چندپار پلی استیرن به دست می آوریم. نتایج نشان می دهد هر چه تعداد مولکول های بنزن در سامانه مرکزی بیشتر باشد، رسانش الکترونی در ناحیه تونل زنی پلی استیلن بهبود یا...

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی را برای موقعیت های مختلف اتصال هادی ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می دهد که با نزدیک شدن هادی ها در نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه گاف بهتر می شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی تأثیر زیادی بر طیف رسانش این نانو حلقه دارد، به گونه ای که وجود میدان باعث می شود مواردی که طیف رسان...

در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می شود، بررسی می شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آن ها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...

تحقیقات ماکروسکوپی صورت گرفته در مورد سوسپانسیونهای نانوذرات، حاکی از افزایش غیرعادی و قابل توجهی در انتقال گرما است. نتیجه این تحقیقات بیان مکانیسم هایی بوده است که منجر به نتایج آزمایشگاهی موثرتری شده است. اندازه گیری های اخیر در مورد نانوسیالات نشان می دهد که ضریب رسانش گرمایی با کاهش اندازه ذره، افزایش می یابد. به هر حال چنین افزایشی با تئوری های موجود قابل توجیه نیست. چهار نظریه ممکن در مو...

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و رهیافت تنگابست، رسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی را در اندازه های متفاوت در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی می کنیم. دو موردی از نانو حلقه را که تعداد پیوندهای یگانه و دوگانه در دو مسیر ممکن الکترون یکسان باشد و نباشد، مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج نشان می دهد که با افزایش طول نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه ی گاف به صورت نمایی کاهش و تعداد قله ...

در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص ...

ضریب رسانش حرارتی از مهم‌ترین خواص نانوسیالات در فرآیندهای انتقال حرارت به شمار می‌رود. برای پیش‌بینی مقدار ضریب رسانش حرارتی نانوسیالات روابط تئوری، تحلیلی و تجربی متعددی ارائه شده است. در این پژوهش از 434 داده آزمایشگاهی در سیستم‌های آلومینیوم ‌اکسید- آب، آلومینیوم ‌اکسید- اتیلن‌گلایکول، آلومینیوم ‌اکسید- آب- اتیلن‌ گلایکول، تیتانیوم ‌دی ‌اکسید- آب و تیتانیوم ‌دی‌ اکسید- اتیلن‌گلایکول استفاده...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این مقاله به مطالعه رسانش و چگالی حالت های الکترونی یک بسپار شانه-مانند با انرژی پرش متناوب متصل به دو زنجیره ساده یک بعدی در رهیافت بستگی قوی پرداخته شده است. روابطی برای ضریب عبور الکترونی و چگالی حالت ها به کمک تابع گرین سامانه به صورت تحلیلی ارائه شده اند. نتایج نشان می دهند که طیف رسانش الکتریکی بسپارهای پلی استیلن-مانند در غیاب انرژی پرش پیوند کربن-هیدروژن دارای یک گاف انرژی متناسب با ...

ترابرد الکترونی در ساختار nsn گرافینی, که در آن دو ناحیه نرمال با یک نوار ابررسانا به ضخامت d به هم متصل شده اند, را بررسی می کنیم. ترابرد از اتصال را در چارچوب معادله dbdg بر حسب فرایندهای مختلف پراکندگی شامل تونل زنی کوانتومی و بازتاب محلی و ضربی اندریو توصیف می کنیم. مقایسه با ساختار تمام نرمال نشان می دهد که وابستگی زاویه ای احتمال عبور در حضور همبستگیهای ابررسانایی به شدت مختل می شود. این ...