آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثابت دی الکتریک بسیار بالا (8.5) از خود نشان داده، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. همچنین آلومینیوم نیترید با توجه به...

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز- نیم‌رسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به ...

در این مطالعه، طیف تراگسیل یک بلور فوتونی ناهمسان‌گرد یک بعدی با بهره‌گیری از روش ماتریس انتقال برای هر دو حالت قطبش TE و TM مطالعه شده است. نشان دادیم به دلیل وجود لایه ناهمسان‌گرد در ساختار بلور فوتونی مورد مطالعه، گاف براگ موسوم به گاف باند فوتونی ناهمسان‌گرد ایجاد می‌شود. نتایج نشان داد که گاف براگ ناهمسان‌گرد به شدت به جهت محور نوری لایه ناهمسان‌گرد و زاویه پرتوی فرودی وابسته است. ساختار م...

این مطالعه به منظور تعیین هدایت الکتریکی، ثابت های نوری و گاف نوار نوری فیلم های نازک نانوکامپوزیت pmma/ag که در آن نانوذرات با دو روش آبی و آلی تهیه شده و دو ریخت شناسی کروی و چندوجهی را دارند، انجام شده است. رفتاری که مواد مختلف در مقابل پرتوهای نور مرئی از خود نشان می دهند به عنوان خواص نوری مواد شناخته می شود. به طور کلی خواص اپتیکی هر ماده، با ثابت های اپتیکی آن ماده یعنی ثابت دی الکتریک م...

پنتا اکسید وانادیم یک نیمرسانای نوع n است که تراز 3d آن در حال پر شدن است. این اکسید فلزی به شکل فیلم نازک کاربردهای وسیعی در پنجره های هوشمند و کلیدهای اپتیکی دارد. بنابراین، تعیین پارامترهای اپتیکی فیلم نازک v2o5 (شامل ضریب شکست و خاموشی) برای طراحی ابزارهای اپتوالکترونیک و پوششهای اپتیکی به صورت فیلم های اپتیکی نازک چند لایه و فیلترها ضروری است.تا کنون روشها و مدلهای مختلف فیزیکی برای محاسبه...

لایه های نازک اکسید روی آلائیده با آلومینیم به روش اسپری پایرولیز بر روی زیرلایه ی سیلیکون و شیشه لایه نشانی شده اند. آنالیز پراش پرتو ایکس فازهای موجود در لایه های نازک را مشخص نموده است. آنالیز فوتولومینسانس جهت بررسی خواص لومینسانس فیلم های نازک گرفته شده و طیف سنجی فرابنفش- مرئی برای بررسی عبور اپتیکی نمونه ها و تعیین گاف انرژی و لبه ی جذب اپتیکی استفاده شده است. از تصاویر edax جهت تعیین نو...

چکیده: نظر بر اینکه اکسید روی یک نیم رسانا با گاف باندی پهن می باشد به عنوان یک ماده ی مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرد. اکسید روی علاوه بر کاربرد به عنوان یک رسانای شفاف و حسگر گازی، در ساخت واریستورها و سلولهای خورشیدی مورد استفاده قرار می گیرد. روش سل- ژل یک روش ساده، کم هزینه و جذاب برای تهیه لایه های نازک اکسید روی بوده و امکان تهیه لایه هائی با س...