در این پژوهش نانوسیم های اکسید روی به روش تبخیر حرارتی پودر zn ، بر روی زیرلایه های شیشه، کوارتز، سیلیکون و فولاد ، تحت شارش گاز آرگون به عنوان گاز حامل و هوا به عنوان گاز واکنش دهنده در دمای 620 درجه سانتیگراد به طور موفقیت آمیزی رشد داده شدند. نمونه های بدست آمده توسط پراش پرتوی ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد آنالیز قرار گرفتند. برای بررسی تأثیر کاتالیست بر روی رشد نانوسیم ها، زیرلایه ه...

امروزه کاربرد الکترودهای رسانای شفاف و منعطف نانوسیم های نقره (agnws) به عنوان جایگزینی برای الکترودهای ito در سلول های خورشیدی پلیمری، به شدت مورد توجه قرار گرفته است. در این مطالعه سنتز و روش های کنترل ابعاد agnw ها بررسی شده است. ابتدا agnw ها به روش پلی اُل سنتز شدند. اثر حضور دانه سدیم کلراید به عنوان یک فاکتور کلیدی در تشکیل agnw ها مورد ارزیابی قرارگرفت و هم چنین اثر نسبت پلیمر پلی وینیل ...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

نانوسیم های کبالت به روش الکتروانباشت شیمیایی و با استفاده از قالب های آلومینای آندی ساخته شده است. اثر اعمال میدان مغناطیسی خارجی در حین فرآیند الکتروانباشت بر خواص مغناطیسی نانوسیم های ساخته شده مورد مطالعه قرار گرفته است. بررسی منحنی های مدت زمان پر شدن کامل حفره های آلومینا نشان می دهد که بااعمال میدان مغناطیسی، سرعت انباشت یونها تحت تأثیر قرار می گیرد.الگوهای پراش اشعه x نیز نشان می دهد که...

در این مقاله، طیف لومینسانس گسیلی از چینش هسته-چند پوسته در نانو سیم‌های نیم رسانای غیر قطبشی  با تقارن شعاعی بررسی شده است. حل خودسازگار معادلات شرودینگر و پواسون پایه اصلی محاسبات عددی برای به دست آوردن توابع موج، تراز‌های انرژی، کج شدگی‌های باند در اثر آلایش مناسب در سیستم و تاثیرات آن در طیف لومینسانس گسیلی از نانوسیم است. نتایج مقاله دارای کاربردهای فراوان در پیش‌بینی نتایج تجربی و عملکرد ...

اثر متقابل بین خاصیت پیزوالکتریک و انتقال بار در مواد پیزوالکتریک نیم رسانا، منجر به تولید پدیده جدید به نام پیزوترونیک می شود که اساس عملکرد نانوژنراتورها را تشکیل می دهد. در پایان نامه حاضر، عملکرد نانوژنراتور بر اساس آرایه ای از نانوسیم های پیزوالکتریک برای برداشت انرژی مکانیکی و تبدیل آن به انرژی الکتریکی مطالعه و با استفاده از روش المان محدود شبیه سازی شده است. در این رابطه، توزیع پتانسیل ...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی ...

در این تحقیق، نانوسیم‏های بس لایه مس/ پالادیم با استفاده از روش رسوب دهی الکتروشیمیایی درون قالب پلی کربنات رشد داده شدند. رشد نانوسیم‏ها در هنگام رسوب با پتانسیل ثابت با استفاده از نمودار جریان- زمان مورد بررسی قرار گرفت. خواص ریخت شناختی نانوسیم‏ها توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی ( sem ) مورد مطالعه قرار گرفت و نتایج نشان داد که تقریبا طول تمام نانوسیم‏ها برابر بوده و حدود 4 میکرومتر می‏باشد و ...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

در این پژوهش لایه‏های نازک و نانوساختارهای اکسید روی از طریق دو روش اکسیداسیون حرارتی لایه‏های نازک zn و تبخیر حرارتی شیمیایی به طور موفقیت آمیزی رشد داده شدند. در روش اول، ابتدا با استفاده از تکنیک تبخیر در خلاء، لایه‏های نازک zn با ضخامت‏های مختلف (nm80 تا 1 میکرومتر) بر روی زیر لایه شیشه لایه نشانی گردیدند. جهت رشد لایه‏های نازک و نانوسیم‏های اکسید روی، فیلم‏های zn لایه نشانی شده در بازه دما...