چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

در دهه اخیر تحقیقات گسترده ای در زمینه خواص فیزیکی (in)gaas1-xnx به عنوان نیمرساناهای نیتروژندار رقیق صورت گرفته است. این مواد با ویژگی کوچکی و مستقیم بودن گاف نواری در محدوده 1 الکترون ولت از کاربرد بالایی در قطعات الکترونیک و اپتوالکترونیک برخوردارند. در این بین ساختار ناهمگون (in)gaas1-xnx/algaas با چاه های کوانتومی مربعی و مثلثی، با توجه به خصوصیت منحصر بفرد آن که امکان تشکیل کانالی رسانا ا...

شبه کریستال های فوتونیکی با توجه به ویژگی های برجسته ای که در زمینه کنترل نور داشته اند، در چند دهه اخیر مورد توجه محققان در رشته فیزیک و مهندسی فوتونیک، بوده است. این ساختارها ویژگی ها و خواص مشابه و البته بهتری از کریستال های فوتونیکی به نمایش می گذارند، که ناشی از درجه آزادی بیشتری است که در ساختارهای غیرپریودیک نهفته است. از جمله مشخصات مهم و بارز این ساختارها، شکاف باند فوتونیکی کامل و ایز...

در این تحقیق، خواص نوری و الکترونی فولرن -پلیمرهای ناهمسان به عنوان مدلی برای سلول های خورشیدی آلی در فاز گازی و حلال مورد بررسی قرار گرفت. پلیمرهای(2d( (1d)و (3d) به عنوان دهنده و c60، c70، pc60bm و pc60be به عنوان پذیرنده استفاده گردیدند. در این مطالعه سطوح انرژی، شکاف homo-lumo و انرژی بازآرایی توسط نظریه تابعیت چگالی (dft) بدست آمدند. نظریه dft وابسته به زمان (tddft) برای محاسبه خواص نوری آ...

دستگاه¬های لایه¬نشانی به روش کندوپاش dc مغناطیسی واکنشی برای لایه¬نشانی اکسید مس و روش تبخیر حرارتی برای لایه¬نشانی فلزات طلا، منگنز و آلومینیوم به عنوان اتصالات اهمی پیاده-سازی و راه¬اندازی شدند. فازهای اکسید مس با توجه به فشار جزئی گاز اکسیژن در محفظه لایه¬نشانی تفکیک و اندازه¬گیری¬های الکتریکی و نوری برای این لایه¬ها صورت پذیرفت. تطبیق اندازه-گیری¬های مقاومت ویژه، غلظت و تحرک حفره¬ها و میزان...

در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. ام...

در این پایان نامه به بررسی ساختار روی توان های عملگرهای p-هیپونرمال و log-هیپونرمال می پردازیم که از مسئله ی عملگرهای هیپونرمال الهام گرفته شده است. ساختار روی توان های عملگرها مرکب از ساختار همگون و ساختار ناهمگون می باشد و مسئله ی اصلی ساختار روی توان های عملگرها ،به ساختار ناهمگون روی توان های عملگرها تعلق دارد. ساختار روی توان های عملگرهای p-هیپونرمال برای 0<p شده است. همچنین برخی از کاربرد...

ابتدا نانو ذرات پلی آنیلین را با استفاده از امواج فراصوت سنتز می کنیم سپس قطعات ساندویچی پیوند ناهمگن برموآلومینیوم فتالوسیانین وپلی آنیلین وقطعات تک لایه برمو آلومینیوم فتالوسیانین به روش زیرساخته می شوند. پس از تمیز کردن بستر پلی بروسیلیکان, ابتدا لایه ای از آلومینیوم به عنوان الکترود و با ضخامت 50±5 نانومتر از طریق لایه نشانی تبخیر گرمایی توسط تفنگ الکترونی در محفظه ای با فشار مناسب mbar 10...

اختلال وسواس فکری-عملی یک اختلال ناهمگون مشخص با افکار، تصاویر یا تکانه های ناخواسته عود کننده است. تنوع موضوعی افکار و عادات وسواسی شناخته شده است. این ناهمگونی علایم وسواس باعث مشکلات بسیاری چه در امر تحقیقات و چه در مداخلات بالینی شده است. هدف از این پژوهش بررسی علایم ناهمگون وسواس در چهار بعد و بررسی ارتباط میان این چهار بعد از علایم وسواس با افکار وسواسی می باشد. به همین منظور 60 بیمار مبت...

گروتسک  (grotesque)مفهوم، فن یا سبکی در هنر و ادبیات است که در آن ادیب یا هنرمند تلاش می کند دو حس ناسازگار ترس (دلهره یا انزجار) و خنده (طنز و مطایبه) را هم زمان به مخاطب خویش القا کند. این مفهوم امروزه توصیف کننده دنیای پریشان و از خود بیگانه است؛ یعنی دیدن دنیای آشنا از چشم اندازی بس عجیب که آن را ترسناک و مضحک جلوه می دهد. بارزترین ویژگی هایی که یک اثر را گروتسک می سازد، عبارت است از: ناهما...