در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

خوردگی ناشی از تاثیر یک مایع یا گاز خورنده بر روی سطح فلز می باشد و چون خوردگی معمولاً از سطح شروع می شود بنابراین چگونگی حالت سطح فلز در ایجاد و همچنین گسترش بعدی آن موثر می باشد . در این مبحث خصوصیات مختلف کریستالوگرافی ، شیمیایی ، فیزیکوشیمیایی و میکروژئومتری سطح فلز مورد بررسی قرار می گیرد و به طور خلاصه نتایج زیر از آن حاصل می شود : - شدت واکنش در صفحاتی که دانسیته اتمی آنها زیاد است ( ص...

با توجه به رابطه نزدیک کیفیت جوش و میزان حرارت ورودی، در این تحقیق تاثیر فلز پر کننده و شدت جریان بر ریزساختار و خواص مکانیکی جوش آلیاژ ti-6al-4v مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور ورقهایی از آلیاژ مذکور به ضخامت 3 میلیمتر توسط فرآیند جوشکاری قوسی با الکترود تنگستن به صورت نیمه اتومات جوشکاری شدند. بعد از آماده سازی و تمیزکاری سطوح اتصال، عملیات جوشکاری در شدت جریان های مختلف (65،75،85،90 آمپر) و...

هدف اصلی این پایان نامه، بررسی چگالی حالت های نانونوارهای گرافینی آرمچیر و زیگزاگ با تغییر ساختار هندسه ی آنها،از لحاظ تعداد لایه و عرض میباشد. هامیلتونی نانونوارهای گرافینی را در تقریب تنگ بست در کوانتش دوم بدست آورده، و با استفاده از رهیافت تابع گرین معادله ی حرکت مربوط به الکترونهای ظرفیت سیستم مورد نظر را نوشته، سپس با داشتن تابع گرین و استفاده از نرم افزار متلب (matlab) چگالی حالت های نانو...

آزمایشات به منظور تعیین غلظت نیمه کشنده فلز روی درماهی کپور انجام شد. آزمایشات به روش آب ساکن  درمدت 96 ساعت اجرا شد. 12 قطعه بچه ماهی کپور با وزن متوسط 2±3 گرم درمعرض غلظت های مختلفی از سولفات روی (270و 250، 200 ، 150، 90 ، 65 ، 30 ، 0 میلی­گرم درلیتر) قرار گرفتند. از نمک سولفات روی بعنوان روی در آزمایشات استفاده شد. یک گروه نیز بعنوان شاهد در نظر گرفته شد. تحت شرایط ثابت و هوادهی غلظت نیمه کش...

در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی بر اساس وارونگی سطحی ارائه می­شود. در این ساختار پیوند کلکتور-بیس یک پیوند متداول p-n است، اما ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور فقط با استفاده از دو ناحیه n و p طراحی شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p، ناحیه n+  امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارائه...

چکیده به خوبی می دانیم که کاهش طول گیت، یک وسیله ی قوی جهت افزایش هدایت انتقالی و فرکانس عبور ترانزیستور های اثر میدانی فلز نیمه هادی (mesfet) می باشد. البته با کاهش طول گیت بدون کاهش چگالی ناخالصی و ضخامت کانال، عملکرد قطعه بوسیله اثرات کانال کوتاه و عوامل پارازیتی کاهش می یابد. از مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور mesfet می توان به کاهش سد کانال بوسیله ولتاژ درین(dibl) ، شیفت منفی در و...

در این مقاله، ترابرد الکترونی یک نانولوله نیمرسانای زیگزاگ شبه یک بعدی، که به دو الکترود فلزی متصل است، بررسی می­شود. الکترودها، از نوع نانولوله زیگزاگ فلزی هستند. رفتار این سیستم، ممکن است شبیه یک ترانزیستور اثر میدانی باشد. با استفاده از مدل بستگی قوی و روش تابع گرین، چگالی حالتهای موضعی و رسانایی سیستم در ترابرد بالستیک و رژیم خطی، به صورت عددی محاسبه می شود. سپس با ارائه یک مدل مداری برای آ...