کاربرد فوق العاده نانوسیم های آلیاژی مغناطیسی در حافظه های مغناطیسی و حسگرهای مغناطیسی gmr باعث اهمیت ویژه این نانوسیم ها شده است. با وجود اینکه نانوسیمهای کبالت در دستگاه های ثبت مغناطیسی عمودی مورد توجه هستند. اما برهم کنش مغناطیسی زیاد کبالت مانع از استفاده بهینه نانوسیم-های کبالت در این دستگاه ها می شود. در این تحقیق بر آن شدیم تا با افزودن یک ماده غیرمغناطیسی مانند zn شرایط مغناطیسی، وادار...

نانوسیم های coxmn1-x به روش الکتروانباشت متناوب در قالب اکسید آلومینیوم آندی ساخته و تاثیر غلظت منگنزدر الکترولیت بر خواص مغناطیسی آن ها بررسی شد. نمونه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی، میکروسکوپ نیروی اتمی، پراش پرتو x و مغناطومتر agfm مورد مطالعه قرار گرفتند. نتایج مربوط به اندازه گیری حلقه ی پسماند نشان می دهد که افزایش مقدار منگنز در ابتدا باعث کم شدن مقدار وادارندگی می شود به طور...

در ده های اخیر تحقیقات زیادی در زمینه ساخت نانوسیم های مغناطیسی به روشهای مختلف و کاربرد آنها برای ساخت حافظه های مغناطیسی صورت گرفته است. همچنین بررسی تأثیر شرایط ساخت نانوسیم ها بر خواص مغناطیسی آنها مورد توجه ویژه بوده است. یکی از روشهای ساخت نانوسیم های مغناطیسی استفاده از قالبهای حفره دار آلومینا و پر نمودن آنها به روش الکتروشیمی می باشد. این نوشتار مشتمل بر چهار فصل می باشد. در فصل اول م...

نانوذرات fept مغناطیسی با فاز10l به دلیل مورد ناهمسانگردی مغناطو بلوری بالا توجه زیادی را به خود جلب کرده است. نانوذرات fept به دلیل کاربرد در ضبط مغناطیسی عمودی، مغناطیس های دائمی و سنسورهای مغناطیسی دارای اهمیت می باشند. در سیستم های با وادارندگی بالا، اطلاعات می تواند برای مدت زمان طولانی-تر ذخیره گردد. به عبارتی برای ایجاد محیط مغناطیسی با ضبط پایدار در برابر اثرات گرمایی، نیاز به مغناطیس ه...

آرایه های نانوسیمی Fe100−x Mn x (0 ≤ x ≤ 87) با استفاده از الکتروانباشت همزمان Fe و Mn در حفرات قالب اکسید آلومینیوم آندی (AAO) ساخته شده در آزمایشگاه سنتز شدند. تاثیر ترکیب درصد فلزات انباشت شده، دمای تابکاری و فرکانس الکتروانباشت بر ساختار بلوری و خواص مغناطیسی نانوسیم‌های سنتز شده مورد بررسی قرار گرفت. تغییرات مغناطش اشباع، وادارندگی (Hc) و نسبت مربعی (Mr/Ms) و تغییر ساختار بلوری با تغییر پا...

در این پژوهش سنتز نانوذرات هگزا فریت باریم نوع M دوپ شده با کاتیون‌های Mg2+، Zn2+ و Ti4+ در فرآیند فعال‌سازی مکانیکی انجام شد. سه نسبت Fe/Ba به ترتیب 10، 11 و 12 با عملیات حرارتی در دمای °C 900 مورد بررسی قرار داده شد. در نسبت‌های Fe/Ba، 10 و 12 فاز آهن به عنوان فاز میانی مشاهده شد در ادامه در نسبت 11 به عنوان نسبت بهینه برای سنتز ترکیب هگزا فریت باریم تک فاز شناخته شد. ترکیب هگزا فریت باریم سن...

در میان نانوسیم‏های مغناطیسی که تاکنون ساخته شده، نانوسیم‏های کبالت به علت ناهمسانگردی مغناطو بلوری تک محور زیاد به هنگام رشد در ساختار hcp که عامل اصلی تغییر در میکروساختار این نانوسیم‏ها می باشد، مورد توجه بسیاری از محققین واقع شده است. با توجه به اینکه رفتار لایه‏ی سدی نقش کلیدی در فرآیند الکترونهشت دارد، در این پروژه برای اولین بار با تغییر دمای لایه‏ی سدی فرآیند الکترونهشت تحت تأثیر قرار ...

فریت استرانسیم با ساختار مگنتوپلامبیت (ساختارهای هگزاگونال نوع m)، از جمله اکسیدهای فری مغناطیس سخت به شمار می آید که به دلایل مختلف از جمله پسماند مغناطیسی بالا، ناهمسانگردی محوری زیاد، میدان وادارندگی بزرگ، دمای کوری بالا، پایداری شیمیایی و مقاومت خوردگی بسیار عالی و همچنین خواص جذب مایکروویو خوب، یک گزینه مناسب برای استفاده های مختلف از جمله ساخت آهنرباهای دائم، موتورهای الکتریکی dc، محیط ها...

در سال های اخیر توجه به نانوذرات مغناطیسی به دلیل پتانسیلشان برای کاربرد در حافظه های مغناطیس با حجم بالا و پزشکی افزایش یافته است. بیشتر کاربردها به پایداری مغناطیسی با زمان وابسته است. در هر حال، با کاهش اندازه نانوذرات انرژی ناهمسانگردی هر ذره که ممان مغناطیسی را در جهت خاصی نگه می دارد، با انرژی گرمایی قابل قیاس می شود. وقتی این اتفاق رخ دهد ممان مغناطیسی شروع به نوسان در جهت های تصادفی با ...

با استفاده از آنالیز مغناطیسیforc برهم¬کنش¬های مغناطواستاتیکی و توزیع وادارندگی نانوسیم¬های آلیاژی نیکل- کبالت تهیه شده به روش الکتروانباشت شیمیایی در قالب آلومینای آندی بررسی شد. بجز تفاوت در مولاریته¬ی الکترولیت نیکل و کبالت در هنگام نهشت که باعث بوجود آمدن نانوسیم¬های نیکل – کبالت با درصد اتمی متفاوت شد بقیه شرایط ساخت در همه¬ی نمونه¬ها یکسان بود. نتایج xrf نشان داد که نهشت کبالت در نان...