نتایج جستجو برای: ولتاژ گیت وابسته به درین

تعداد نتایج: 688214  

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده زبانهای خارجی 1391

مطالعات در حیطه ی ترجمه رشته های متعددی را در بر می گیرد که در این میان میتوان به مطالعات ترجمه شناختی اشاره کرد.در این پژوهش نیز وجود یا عدم وجود تفاوت کیفیت ترجمه ی ادبی دانشجویان مقطع کارشناسی از لحاظ روش شناختی وابسته به زمینه و نا وابسته به زمینه بررسی شد.این پژوهش بر اسا س روش مقایسه ای انجام گرفته است. نخست از297 شرکت کننده آزمون تافل گرفته شده و از میان آنها 204 نفرکه ازنظر مهارت زبان ا...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
mohammadreza hajmirzaheydarali nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. meharnosh . sadeghipari nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. samana soleimani-amiri nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. mahdi akbari nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. alireza shahsafi nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran hosen hajhosseini nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. fhatama salehi

در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1390

در این پایان نامه به بررسی ساختار گرافین از جمله شبکه آن ، بردارهای پایه شبکه حقیقی و شبکه وارون و یکی از ویژگی های منحصر به فرد در گرافین که طبیعت خاص حامل های بار در آن است پرداخته ایم .نحوه به دست آمدن معادله دیراک در گرافین را شرح می دهیم و یک ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را شبیه سازی می کنیم و رفتار فرمیون های بدون جرم دیراک را در برخورد با ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را در حالت هایی که...

Journal: : 2023

شاخص سطح برگ نقش مهمی در تبادل ماده و انرژی بین زمین اتمسفر دارد. مانند سایر گیاهان، نیشکر معیار خوبی برای وضعیت سلامت رشد این محصول است که به‌دلیل آن صنایع غذایی انرژی، اهمیت اقتصادی بسیاری ماهوارة PRISMA سال 2019 پرتاب شد، یکی از جدیدترین منابع داده‌های ابرطیفی را فراهم کرده به‌ویژه، تهیة نقشة متغیرهای گیاهی کاربرد پژوهش حاضر، نوع جدیدی شبکه‌های عصبی مصنوعی، موسوم به شبکة تنظیم‌شده با روش بیز...

ژورنال: :مهندسی برق و الکترونیک ایران 0
مهدی مرادی نسب m. moradinasab مرتضی فتحی پور m. fathipour

در این مقاله مدل بسته­ای برای منحنی مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی شبه ماسفت با کانال نانولوله کربنی ارائه شده است. به منظور مدل سازی این نوع افزاره­ها باید معادله یک بعدی جریان درین – سورس که از مدل­سازی عمومی بالستیک به کمک فرمول لاندور به دست می­آید به همراه معادله­ای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حامل­ها را ارائه می­دهد به صورت خودسازگار[i] حل شوند. همچنین برای محاسبه تراکم ...

آرزو عطایی‌فرد خلیل منفردی, شهرام حسین‌زاده,

در این مقاله آرایشی جدید برای نوسان‌ساز کنترل‌شده با ولتاژ LC کلاس-C ارائه شده است که دارای مزیت شروع نوسان مناسب، کاهش نویز فاز و افزایش دامنه می‌باشد. استفاده هم‌زمان از دو روش خازن ورکتور با قابلیت تنظیم دیجیتالی و مدار تانک مرتبه چهار باعث شده که نوسان‌ساز کلاس-C پیشنهادی از نظر نویز فاز، عملکرد بسیار بهتری نسبت به سایر ساختارهای نوسان‌ساز LC داشته باشد. فیدبک دامنه به‌کاررفته در ساختار پیش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1381

در این پایان نامه ، یک مدل واحد پیوسته براساس فیزیک افزاره و پتانسیل سطحی برای مشخصه ‏‎i-v‎‏ ماسفتهای تمام و نیمه تخلیه ای ‏‎soi‎‏ ارائه شده است که به طور خودکار، براساس میزان تخلیه بدنه، حالت کار افزاره را تعیین کرده و مشخصه جریان-ولتاژ را محاسبه می کند. اثرات مقیاس کوچک مانند مدولاسیون طول کانال ‏‎clm‎‏، کاهش سد پتانسیل القا شده توسط درین(‏‎dibl‎‏) ، اثرات میدانهای شدید بر روی قابلیت حرکت و ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده علوم 1393

در تحقیق حاضر انتقال اسپین در یک سیلیسن نرمال/سیلیسن فرومغناطیس/سیلیسن نرمال مطالعه شد.رسانندگی اسپین که در اتصالات سیلیسنی به طور متناوب با پهنای سیلیسن فرومغناطیس تغییر می-کند، نشان داده شد. همچنین مشخص شد که درجریان بین اتصالات سیلیسنی ،اسپین به خاطر جفت شدن درجات آزادی اسپین،ونقاط دیراک پلاریزه می شود و این پلاریزاسیون اسپین به کمک ولتاژ گیت کنترل میشود. هدف این مطالعه رسانندگی اسپینی در ی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده علوم 1392

در این اثر انتقال اسپین را در اتصالات گرافینی گرافین نورمال / گرافین فرومغناطیس / گرافین نورمال که یک الکترود به گرافین فرومغناطیس ضمیمه شده است مطالعه و بررسی می کنیم. سپس در می یابیم که یک میدان تبادلی از گرافین فرومغناطیس ناشی می شود و جریان اسپین در میان اتصال یک رفتار نوسانی دارد که با پتانسیل شیمیایی در گرافین فرومغناطیس رابطه دارد و قابلیت تنظیم با ولتاژ گیت را دارد. به طور خاص یک جریان...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1391

تثبیت کننده های ولتاژ با افت کم (ldo) یکی از بلوک های اصلی واحد مدیریت توان به شمار می روند. یک واحد مدیریت توان پیشرفته برای کاربردهای درون-تراشه ای به تعدادی تثبیت کننده ولتاژ به منظور راه اندازی المان ها و بلوک های عملیاتی نیاز دارد. تثبیت کننده های ولتاژ اغلب برای ایجاد یک ولتاژ ثابت و کم نویز به منظور تغذیه مدارهای آنالوگ به کار می روند. این ولتاژ باید در مقابل تغییرات جریان بار و ولتاژ خط...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید