نتایج جستجو برای: ولتاژ گیت وابسته به درین

تعداد نتایج: 688214  

ژورنال: :راهبردهای آموزش در علوم پزشکی 0
مهران فرج اللهی farajollahi m. حسین نجفی najafi h. department of educational sciences, faculty of education, tehran branch, payam-e-noor university, tehran, iranگروه علوم تربیتی، دانشکده علوم تربیتی، واحد تهران، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران کمال نصرتی هشی nosrati hashi k. سودابه نجفیان najafiyan s.

اهداف: کنکاش در مورد شیوه ها و سبک های یادگیری و رابطه آن با پیشرفت تحصیلی، منجر به حرکت در جهت یادگیری مطلوب می شود. هدف پژوهش حاضر بررسی رابطه بین سبک های یادگیری با سن، جنسیت و وضعیت تحصیلی دانشجویان بود. روش ها: این مطالعه توصیفی همبستگی در کلیه دانشجویان دختر و پسر دانشگاه پیام نور واحد خلخال در سال تحصیلی 91-1390 انجام شد. 150 نفر با روش نمونه گیری طبقه ای انتخاب شدند. ابزار جمع آوری داده...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

تقویت کننده های توزیع شده دارای بهره مسطح و تطبیق امپدانس خوب ورودی و خروجی در یک پهنای باند فرکانسی وسیع هستند. این تقویت کننده ها توانایی انتقال داده را در طیف وسیعی از باند فرکانسی با میزان بالای اطلاعات را دارا می باشند. در این پایان نامه ابتدا یک تقویت کننده تفاضلی cmos توزیع شده که ترکیبی از توپولوژیهای cascode و cascade می باشد برای کاربردهای uwb در تکنولوژی 0.13µm cmos ارائه شده است. م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1392

چکیده رساله/پایان نامه:  سیستم های مخابراتی جدید مانند w-cdma، wimax یا lte از سیگنال های با پوش متغیر یا روش های مدولاسیون با طیف کارآمد استفاده می کنند. این شبکه ها به تقویت کننده های توان خطی با بازدهی کم و اعوجاج پایین نیاز دارند. تقویت کننده توان یک عنصر مهم در سیستم های مخابراتی بیسیم محسوب می شود. طراحی یک تقویت کننده توان با گین، خطینگی و راندمان مناسب یک چالش محسوب می شود. خطینگی برا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1388

در این رساله طراحی و تحلیل بخش آنالوگ گیرنده غیرهمدوس uwb مبتنی بر آشکارسازی انرژی در سطح سیستمی و مداری ارائه می شود. اثرات غیر ایده آل بلوکهای گیرنده به منظور دست یابی به مشخصات فنی طراحی، در شبیه سازی سیستمی با سیمولینک matlab مورد توجه قرار گرفته است. در ota مقادیر iip3 و توان مصرفی مورد نیاز برابر dbm15 و mw2 است. همچنین در مربع کننده iip3، توان مصرفی و بهره در ber 3-10 به ترتیب برابر dbm1...

برنامه‌ریزی گیت یکی از فعالیت‌های کلیدی در فرودگاه‌هاست که به عنوان یک مسأله بهینه‌سازی تعریف می‌شود. هدف اصلی این پژوهش پیدا کردن یک تخصیص مناسب برای پروازهای ورودی و خروجی با درنظر گرفتن مجموعه‌ایی از محدودیت‌های کاربردی است. یکی از اهدافی که کمتر مورد توجه قرار گرفته است، بالانس نمودن بار کاری گیت‌ها با استفاده از تعداد مسافران می‌باشد. در این مقاله، این هدف به همراه دو هدف کمینه‌کردن تأخیره...

ژورنال: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
مهران نظری دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی برق جواد یاوند حسنی دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی برق

در این مقاله، یک lna کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45ghz با استفاده از تکنولوژی µmrf-0.18cmos شرکت tsmc ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی ...

ژورنال: :فصل نامه علمی پژوهشی مهندسی پزشکی زیستی 2014
فرزاد فروزنده مهدیه حاجی بزرگی بهروز مشکات ناصر فتورائی

بیماری ‏های شریان کرونری یکی از عوامل اصلی مرگ ومیر است. وقتی که این شریان دچار انسداد شود، عمل بایپس شریان کرونری صورت می گیرد. استفاده از ورید سافینوس انسان درین جرّاحی، مورد توجه پژوهشگران است. درین مطالعه، نمونه های انسانی ورید سافینوس به وسیله ی یک دستگاه تست تورم، تحت آزمایش تورم قرار گرفت. انبساط نمونه ها به عنوان ورودی یک روش محاسباتی مورد بررسی قرار گرفت. در مدل سازی عددی بافت به صورت ی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فناوری های نو 1393

اثرات کانال کوتاه یکی از حساس ترین نکات در ساخت ترانزیستورها در ابعاد کمتر از میکرو ونانو است وبه مانع اصلی فن آوری ساخت ترانزیستور در مقیاس نانوتبدیل شده است و باعث تخریب عملکرد وتغیر ویژگیهای الکتریکی شده است. یک نمونه از اثرات کانال کوتاه اشباع سرعت است که در آن حامل در دستگاه به سرعت به اشباع رسیده با جود آن که حالت اشباع بوجود نیامده است. در سال های اخیر ترانزسیتورهای اثر میدانی مبتنی بر گ...

ژورنال: :نشریه دانشکده فنی 2007
سید اصغر ارجمندی وحید لطفی

روش ریتز یکی از روش های کاهش درجات آزادی می باشد. کار آیی روش ریتز بستگی به بردارهای استفاده شده دارد. مزیتی که روش ریتز بر روش مدی دارد این است که بردارهای ریتز با توجه به بار وارد بر سازه محاسبه می شوند. به همین دلیل بهتر می توانند تغییر شکل سازه تحت بار مورد نظر را تقریب بزنند. بر خلاف شکل مدها که مستقل از بار وارده می باشند. بردارهای ریتزی که بر اساس توزیع مکانی بار وارد بر سازه محاسبه می ش...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید