سابقه و هدف: استرس و گلوکوکورتیکوییدها منجر به تخریب به خاطرآوری اطلاعات می شوند ولی مکانیسم های آن روشن نیست. هدف این مطالعه بررسی نقش کانال های کلسیمی وابسته به ولتاژ در آسیب به خاطر آوری حافظه ناشی از استرس حاد است. مواد و روش ها: موش های نر بالغ نژاد ویستار در دستگاه احترازی غیرفعال، (با شدت 1 میلی آمپر و به مدت 5/1 ثانیه) آموزش داده شدند. 48 ساعت بعد از آموزش تست به خاطرآوری انجام شد، که د...

چکیده: در ایـن مقاله طراحی یک مبدل زمان به دیجیتال 12 بیتی رزولوشن بالا و توان مصرفی کم مبتنی بر اسیلاتور حلقوی چند­مسیره (Multi-Path Gated Ring Oscillator) در تکنولوژی nm-CMOS130 بیان شده است. برای افزایش رزولوشن دو مسیر گیت با رزولوشن­های متفاوت، رزولوشن درشت و رزولوشن ریز، به­صورت ساختار ورنیر استفاده شده است. تأخیر گیت هر مسیر تعیین­کننده رزولوشن آن مسیر و به دلیل به ­کار بردن آن­ها در ساخت...

سوئیچ های نانو الکترومکانیک یکی از پرکاربردترین ابزارها در حوزه تکنولوژی نانو هستند. این سوئیچ ها به عنوان بخش کلیدی بسیاری از ابزارهای نانو مقیاس همچون نانو ترانزیستورها، نانو گیرها، نانو انبرک ها و ... به کار می روند. نانو تیوب های کربنی نیز به دلیل پیشرفت وسیعی که در ساخت و تولید آنها ایجاد شده است، برای استفاده در سوئیچ های نانو الکترومکانیک بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. در این کار، یک سو...

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

هدف: پژوهش حاضر به منظور تعیین میزان حضور و فعالیت دانشگاه­ها و مؤسسات پژوهشی کشور در شبکه اجتماعی علمی ریسرچ گیت انجام شده است. روش پژوهش: پژوهش حاضر از نوع کاربردی است و با روش علم سنجی انجام شده است. داده های مورد نیاز از شبکه اجتماعی علمی ریسرچ گیت جمع­آوری شده است. در این پژوهش از میان 428 دانشگاه و مؤسسه ایرانی حاضر در ریسرچ گیت، عملکرد سی دانشگاه و مؤسسه برتر بر اساس شاخص­های ششگانه آر.ج...

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم، جریان نشتی پایین و سوئینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم (Vdd = 0.5 V) م...