بس لایه های آمورف (1x

لایه نشانی از علوم پرکاربرد در صنعت به شمار می آید. تکنولوژی ساخت ادوات خاص این تکنیک در سال های اخیر پیشرفت چشم گیری داشته است، به طوری که دقت بالای این وسایل باعث افزایش مشهود کیفیت لایه ها گردیده است. ما در این تحقیق، در ابتدا به معرفی کامل ملزومات آزمایشگاه لایه نشانی خواهیم پرداخت و شیوه های متنوع لایه نشانی مرسوم را مورد مطالعه قرار خواهیم داد. در کنار استفاده از این وسایل، تسلط کافی پژوه...

در این پایان نامه مشخصه های الکتریکی لایه های ژرمانیمی که با استفاده از تکنولوژی لایه نازک ساخته شده و دارای ناخالصی آلومینیوم هستند، مورد بررسی قرار می گیرد. ساخت لایه های ژرمانیوم پلی کریستالی با لایه نشانی روی بستر در دمای کم و مراحل تکمیلی آن صورت می پذیرد. به این ترتیب نمونه هایی از ژرمانیوم با میزان ناخالصی آلومینیوم متفاوت روی بستر از نوع شیشه تهیه شده اند. آنالیز مربوط به ساختار فیزیکی ...

در این پروژه اثر جایگزین شدن اتم ژرمانیوم و نیز جذب مولکول اکسیژن بر پارامترهای ساختاری و الکترونی نانولوله آلومینیوم فسفید مورد مطالعه قرار گرفته است. در این راستا رزونانس مغناطیس هسته (nmr)، رزونانس چهارقطبی هسته(nqr) ، ساختارهای هومو-لومو و توصیف گرهای مولکولی کوانتومی مانند سختی، نرمی، پتانسیل شیمیایی، الکترونخواهی و الکترونگاتیویته با استفاده از تئوری تابع چگالی و روش b3lyp و مجموعه پایهای...

بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. در این روش...

طیف سنجی گاما با استفاده از آشکارسازهای ژرمانیوم فوق خالص با قدرت تفکیک انرژی زیاد، کاربرد وسیعی در علوم هسته ای دارد. بخش عمده ای از یک طیف تابش گاما را، زمینه کامپتون ناشی از عدم جذب کامل انرژی فوتونها تشکیل می دهد. این جذب ناقص به سبب فرار فوتونهای پراکنده شده کامپتون از آشکاساز است . پیوستار کامپتون نه تنها در شناسایی فله های کوچک ، بلکه در تعیین مکان و شدت قله های قابل مشاهده نیز موجب ابها...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

در این پژوهش محاسبات بر پایه نظریه تابعی چگالی و کد محاسباتی wien2k و با استفاده از رهیافتهای چگالی موضعی (lda) ، شیب تعمیم یافته (gga) و انگل وسکو (gga-ev) انجام میگیرد. ابتدا با بهینه کردن پارامترهای محاسباتی ساختار گرافن تخت تک لایه و ابر یاخته آن را شبیهسازی میکنیم و سپس خواص الکترونیکی و اپتیکی آن را مورد بررسی قرار میدهیم. سپس با وارد کردن اتمهای ga ، ge ، co و pd به روش جانشانی در ابر یا...

امروزه آگاهی از تعیین مقدار فرسایش و رسوب و همچنین فرآیندهای مربوطه توجّه بسیاری از محققان حفاظت آب و خاک را به خود جلب کرده و cs137را هنوز به عنوان دقیق ترین فناوری در تعیین مقدار فرسایش و رسوب پیشنهاد می کنند. با توجّه به هزینه بالا و زمان زیاد مورد نیاز در طیف سنجی cs137آزمایشگاهی، در این تحقیق به استفاده از آشکارساز ژرمانیوم فوق خالص قابل حمل در زیرحوضه های زوجی استان گلستان برای این منظور پر...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...