در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه  شده...

  استخراج و تولید عناصر کمیاب امروزه در دنیا یکی از فناوری هایست که رد زمینه معدن و فراوری مواد معدنی حایز اهمیت است.ژرمانیوم جز عناصری است که به علت نادر بودن،استفاده فراوان آن به عنوان نیمه رسانا و کاربرد در صنایع الکترونیکی ،بیش از پیش مورد توجه و بهره برداری از منابع قابل برداشت،قرار گرفته است.در مقاله حاضر،به ارزیابی مقدار ژرمانیوم در یکی از منابع مهم آن ،یعنی زغال سنگ و خاکستر زغال سنگ ،...

در این پایان نامه، منابع معدنی ژرمانیوم در ایران بصورت مقدماتی مطالعه شده و همزمان امکان استحصال ژرمانیوم از کنسانتره سولفید روی و خاکستر زغال سنگ بررسی شده است. بدین منظور ابتدا از چند معدن سرب و روی و زغال سنگ و کارخانه های فرآوری، نمونه گیری به عمل آمد و مشخص گردید کنسانتره سولفید روی کارخانه های باما، لکان و کوشک به ترتیب حاوی 50.39، 14.63 و 25.8 گرم در تن ژرمانیوم می باشند. نتایج مطالعات ب...

بس لایه های آمورف (1x

لایه نشانی از علوم پرکاربرد در صنعت به شمار می آید. تکنولوژی ساخت ادوات خاص این تکنیک در سال های اخیر پیشرفت چشم گیری داشته است، به طوری که دقت بالای این وسایل باعث افزایش مشهود کیفیت لایه ها گردیده است. ما در این تحقیق، در ابتدا به معرفی کامل ملزومات آزمایشگاه لایه نشانی خواهیم پرداخت و شیوه های متنوع لایه نشانی مرسوم را مورد مطالعه قرار خواهیم داد. در کنار استفاده از این وسایل، تسلط کافی پژوه...

در این پایان نامه مشخصه های الکتریکی لایه های ژرمانیمی که با استفاده از تکنولوژی لایه نازک ساخته شده و دارای ناخالصی آلومینیوم هستند، مورد بررسی قرار می گیرد. ساخت لایه های ژرمانیوم پلی کریستالی با لایه نشانی روی بستر در دمای کم و مراحل تکمیلی آن صورت می پذیرد. به این ترتیب نمونه هایی از ژرمانیوم با میزان ناخالصی آلومینیوم متفاوت روی بستر از نوع شیشه تهیه شده اند. آنالیز مربوط به ساختار فیزیکی ...

در این پروژه اثر جایگزین شدن اتم ژرمانیوم و نیز جذب مولکول اکسیژن بر پارامترهای ساختاری و الکترونی نانولوله آلومینیوم فسفید مورد مطالعه قرار گرفته است. در این راستا رزونانس مغناطیس هسته (nmr)، رزونانس چهارقطبی هسته(nqr) ، ساختارهای هومو-لومو و توصیف گرهای مولکولی کوانتومی مانند سختی، نرمی، پتانسیل شیمیایی، الکترونخواهی و الکترونگاتیویته با استفاده از تئوری تابع چگالی و روش b3lyp و مجموعه پایهای...

بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. در این روش...

با نیاز روزافزون تکنولوژی به سرعت بیشتر، ادوات با سرعت بیشتر جایگزین ادوات کم سرعت شده¬اند. تکنولوژی bjt (bipolar junction transistor) پاسخگویی مناسب نبوده و ترانزیستورهای دو قطبی نامتناجس hbtها (heterojunction bipolar transistor) توانسته¬اند نقص سرعت و توان bjtها را برطرف نمایند از طرفی هزینه ساخت پایین¬¬تری نسبت به ادوات نوری دارند. hbtها از ترکیب مواد گروه چهارم تشکیل می¬شوند، که در این پایا...