مطالعه تأثیر فاصله گیت-درین در خواص ترابردی ترانزیستورهای اثر میدانی algan/gan

چکیده در این پایان نامه برای محاسبه مشخصه جریان-ولتاژ، ابتدا با در نظرگرفتن اثر طول گیت (lg)، معادلات حل شده اند و از صحت و درستی آنها در مقایسه با مقالات و داده های موجود اطمینان حاصل شده، سپس یک مدل جدید تحلیلی برای بررسی مشخصه ولتاژ-جریان ترانزیستورهای اثر میدانی با ساختار نامتجانسalgan/gan ارائه گردیده و فرض شده که در آن پتانسیل کانال در نواحی بدون گیت به طور خطی و تدریجی تغییر می کند. با در نظر گرفتن این مدل، اثرات فاصله های بین درین-گیت (lgd) و بین گیت-سورس(lgs) بر روی مشخصه های ترابردی ترانزیستورهای اثر میدان algan/gan hemt بررسی شده است. برای بررسی اثرات این فاصله ها ابتدا شکل پتانسیل وابسته به مکان با یک روش عددی محاسبه وسپس بر روی معادلات ترابردی اعمال شده است. نتایج بدست آمده از محاسبات نشان دهنده کارکرد خوب ترانزیستورها برای lgdبزرگ و lgsکوچک می باشد. کلمات کلیدی: همت نیتریدی، پارامترهای سیگنال کوچک، رسانندگی گرمایی متقابل ، فرکانس قطع، طول گیت-سورس، طول گیت-درین، طول گیت، پتانسیل کانال