ارزیابی عملکرد یک ترانزیستور با اتصال گیت در دو طرف

در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور لایه نازک در دو حالت یک گیتی و دو گیتی، بررسی گردیده است. از آنجا که وابستگی ولتاژ آستانه به ولتاژ درین برای کاربردهای دیجیتال مهم است، تغییرات آنرا بررسی نموده ایم. در ابتدا تغییرات ولتاژ آستانه با ولتاژ درین بررسی شده است که با افزایش ولتاژ درین مقدار ولتاژ آستانه کاهش می یابد. سپس تغییرات ولتاژ آستانه با کاهش طول کانال مورد مطالعه قرار گرفته و مشاهده شد که با کاهش طول کانال میزان ولتاژ آستانه نیز کاهش پیدا می کند. در ادامه تأثیر تغییر مکان گیت بر منحنی مشخصه ترانزیستور لایه نازک بررسی شده است و دیده شد که در شرایط خاصی مقاومت خروجی یک ترانزیستور لایه نازک می تواند مقداری منفی باشد که مقدار آن با ولتاژ گیت، تغییر طول و چگالی کانال تغییر می کند. پس از آن، شبیه سازی ترانزیستور با اتصال گیت در دو سمت انجام شده است که ملاحظه شد میزان کنترل گیت بر جریان درین افزایش یافته و در نتیجه در مقایسه با حالت یک گیتی تغییرات ولتاژ آستانه با ولتاژ درین و تغییرات ولتاژ آستانه با کاهش اندازه کانال، بسیار کمتر می گردد.