بررسی فرایندهای محدود کننده بازدهی قطعات نور گسیل تشکیل شده از نانوساختارهای نیمرسانای نیتروژندار

پایان نامه
چکیده

حضور میدانهای الکتریکی داخلی قوی در نیمرساناهای نیتروژندار سبب کاهش بازدهی قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مبتنی بر این نیمرساناهای می شود. هدف ما در این رساله بررسی دقیقی از منشاء و آثار این میدانهاست که در دو بخش تجربی و نظری انجام گرفته است.

منابع مشابه

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023