بررسی فرایندهای محدود کننده بازدهی قطعات نور گسیل تشکیل شده از نانوساختارهای نیمرسانای نیتروژندار
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود
- نویسنده حمیدرضا علایی
- استاد راهنما حسین عشقی
- سال انتشار 1386
چکیده
حضور میدانهای الکتریکی داخلی قوی در نیمرساناهای نیتروژندار سبب کاهش بازدهی قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مبتنی بر این نیمرساناهای می شود. هدف ما در این رساله بررسی دقیقی از منشاء و آثار این میدانهاست که در دو بخش تجربی و نظری انجام گرفته است.
منابع مشابه
منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023