حضور میدانهای الکتریکی داخلی قوی در نیمرساناهای نیتروژندار سبب کاهش بازدهی قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مبتنی بر این نیمرساناهای می شود. هدف ما در این رساله بررسی دقیقی از منشاء و آثار این میدانهاست که در دو بخش تجربی و نظری انجام گرفته است.