اثر فوتوولتایی در سلولهای خورشیدی نیمرساناهای نیتروژندار رقیق

در این پایان نامه به بررسی و محاسبه برخی پارامترهای موثر در سلولهای خورشیدی مبتنی بر مواد نیتروژندار رقیق از جمله عرض ناحیه تهی، طول پخش حامل اقلیت، جریان اتصال کوتاه، جریان تاریکی و ولتاژ مدار باز از طریق مدلهای نظری وابسته به بازدهی کوانتومی داخلی سلول خورشیدی پرداخته ایم. محاسبات ما حاکی از آنست که در سلولهای خورشیدی با ساختار p-n رشد یافته به روش mbe، میزان آلایش کمتر در لایه نوع n و نیز استفاده از عملیات بازپخت پارامترهای سلول خورشیدی بهبود یافته است. علاوه بر این مشاهده می شود که در ساختارهای p-i-n ضخامت لایه i در بهبود بازدهی قطعه موثر است. در فصل اول به مرور بر کارهای انجام شده در این مورد پرداخته و در فصل دوم به طور اجمالی مواد نیتروژندار رقیق ga(in)nas را معرفی کرده ایم. در فصل سوم با نحوه عملکرد سلولهای خورشیدی آشنا شده و در فصل چهارم روابط و پارامترهای موثر در بازدهی کوانتومی داخلی سلول های خورشیدی را بیان نموده ایم. سرانجام در فصل پنجم به بررسی و تحلیل داده های گزارش شده در سلول های خورشیدی مبنتی بر نیمرساناهای نیتروژندار رقیق ga(in)nas با ساختارهای مختلف (p-n و p-i-n) پرداخته ایم.