بررسی رسانش در مولکول پلی تیوفن در حضور برهمکنشها

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

تهیه شیمیایی پلی تیوفن رسانا

بررسی رسانش الکترونی در تبدیل یک چندپار پلی استیلن به پلی استیرن

In this paper, the electronic conductance of a polyacetylene polymer embedded between two simple chains is studied by using transfer matrix method within the tight-binding and first neighbor approach. Also, by adding benzene molecules to polyacetylene we obtain the system conductance in its conversion to polystyrene polymer. The results show that as the number of benzene molecules in the middle...

سنتز و بررسی نانوساختارهای پلی تیوفن با استفاده از روش الگوی نرم در محیط آبی

  پلی تیوفن یکی از ارزشمندترین پلیمرهای رساناست که دارای خصوصیات فیزیکی و شیمیایی مفیدی مانند انحلال پذیری خوب و رسانایی بالا بوده و موادی با پایداری شیمیایی، حرارتی و محیطی مناسب را تشکیل می‌دهد. روش‌های متفاوتی به منظور تهیه نانوساختارهای پلیمری رسانا توسعه یافته‌اند و از میان آن‌ها روش الگوی نرم یک روش ساده و نویدبخش می ‌ باشد. نانوساختارهای پلی تیوفن در حضور دودسیل سولفات سدیم به عنوان سورف...

رسانش الکترونی یک مولکول خطی سه اتمی در دمای غیر صفر

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...