اسپکتروسکپی ناحیه فروسرخ دور نیمه هادیهای گروه iii-iv با استفاده از مدل نوسانگرهای وابسته

در این پایان نامه، با استفاده از مدل نوسانگر وابسته؛ تابع دی الکتریک نیمه هادیهای گروه iii-iv مطالعه و بررسی شده است و با بهره گیری از این مدل طیف انعکاسی نظری نیمه هادی-های گروه فوق رسم و اثر پارامترهای اپتیکی مختلف در این مدل بررسی گردیده است. جهت بررسی کارایی این مدل، طیف فروسرخ دور تجربی نمونه هایی از نیمه هادی های گروه iii-iv (از قبیل gaas، gap و gasb) با طیف نظری برازش شده سپس پارامترهای اپتیکی آن ها اندازه-گیری می شود. در مقایسه با مدل نوسانگر مستقل مدل فوق جهت اندازه گیری پارامترهای نیمه هادیها، بارهای آزاد بیشتر و آلایندگی بالاتر مناسب تر است و منحنی تجربی و نظری انطباق بهتری دارند. تحرک پذیری بارهای آزاد اندازه گیری شده با مدل نوسانگر وابسته برای نیمه هادیهای بیشتر آلاینده به مقادیر به دست آمده از روش هال نزدیک تر است.