طراحی یک تقویت کننده کم نویز با باند بسیار وسیع با حداکثر بهره تخت در محدوده 3,1-10,6 گیگاهرتز با تکنولوژی cmos

پایان نامه
چکیده

در سال های اخیر تکنولوژی های مخابراتی پیشرفت بسیار زیادی داشته است، رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و افزایش تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا، برداشتن گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی های مخابراتی را ضرورتی اجتناب ناپذیر می نماید. یک گیرنده مخابراتی به عنوان یکی از ارکان سیستم های مخابراتی سیگنالی در حدود نانو ولت را دریافت می کند، بنابراین تقویت کننده کم نویز به عنوان دومین بخش این گیرنده ها برای اینکه سیگنال را بدون اعوجاج عبور دهد باید بهره توان بالا و عدد نویز پایینی داشته باشد، عموما در ساختارهایی که در سال های اخیر طرح گردیده است، بهبود یکی از دو پارامتر بهره توان و عدد نویز هدف بوده و از توجه همزمان به این دو پارامتر خودداری گشته است اما با توجه به تاثیرات بسیار زیاد بهره توان و عدد نویز بر یکدیگر، در این پایان نامه به بهبود عدد نویز و بهره توان در یک تقویت کننده کم نویز بصورتی موازی پرداخته شده است. مطابق با قانون فریز تمرکز طراحی ها بر روی طبقه ورودی قرار می گیرد و بنابراین برای دستیابی به عدد نویزی پایین و در کنار آن بهره توانی بالا، المان هایی که باعث کاهش بهره توان و افزایش عدد نویز در طبقه ورودی می شوند از مدار حذف می گردند، حذف این المان ها ایجاد تطبیق را دچار مشکلاتی خواهد کرد که برای جبران آن، بکارگیری سلف های تزویج پیشنهاد می شود. در ساختارهای پیشنهادی، مشابه با روش هایی که از سلف در سورس تقویت کننده استفاده می کنند یک مقاومت بدون نویز ایجاد می شود که از آن می توان برای ایجاد تطبیق امپدانس در باند وسیع استفاده کرد، البته بر خلاف این روش ها مقاومت ایجاد شده بهره توان را در مدار کاهش نمی دهد. در این ساختارها به کمک سلف های تزویج عدد نویز در حدود0.5 db و بهره توان 31 db بدست آمده است. توان مصرفی ساختارهای طراحی شده کمتر از 10 mw می باشد که مقدار مناسبی است. پاسخ بهره توان بدست آمده بسیار تخت بوده و با توجه به عدد نویز پایین حاصل شده برای کاربرد در سیستم های مخابراتی مناسب می باشد. شبیه سازی ها به کمک نرم افزارهای agilent technology advanced designed systems (ads)و matlab انجام پذیرفته است.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

متن کامل

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

متن کامل

یک تقویت کننده کم نویز پهن باند با ترانزیستورهای مکمل

تقویت‌کننده کم‌نویز یکی از مهمترین بلوک‌های به کار رفته در یک گیرنده راداری مانند گیرنده های راداری کنترل آتش محسوب می‌شود. در این مقاله یک تقویت‌کننده کم‌نویز پهن‌باند در محدوده فرکانسی 5/2 تا 5/5 گیگا هرتز ارائه شده است. ساختار این مدار در طبقه ورودی به صورت سورس مشترک تعریف شده و تکنولوژی مورد استفاده در طراحی این تقویت‌کننده است. ولتاژ تغذیه مدار 5/1 ولت و توان مصرفی آن18 میلی وات است. تقوی...

متن کامل

طراحی تقویت کننده های کم نویز با پهنای باند بسیار وسیع

در این پایان نامه یک تقویت کننده کم نویز(lna)باولتاژاعمالی کم و توان مصرفی پائین و پهنای باند بیسار (uwb)در باند فرکانسی3.1-10.6ghz با استفاده از تکنولوژی90nm cmosبا استفاده از نرم افزارads طراحی و شبیه سازی شده است.در تقویت کننده ی کم نویز ارائه شده برای تطبیق ورودی از ساختار سلف دژنراسیون و برای افزایش پهنای باند از روش کسکود و سلف سری و فیدبک مقاومتی استفاده شده است.برای افزیش خطی سازی(iip3)...

15 صفحه اول

طراحی تقویت کننده کم نویز با پهنای باند بسیار عریض

در فوریه 2002 میلادی برای اولین بار توسط کمیسیون مرکزی مخابرات، باند فرکانسی3.1-10.6ghz به مخابرات uwb اختصاص داده شد. از آن پس دنیای سیستم های با پهنای باند بسیار عریض، به سرعت وارد تغییر و تحول شد. ویژگیهای جذاب این سیستم ها از جمله نرخ انتقال بسیار بالا و ظرفیت کانال بالا به دلیل پهنای باند فوق العاده زیاد، برای طراحان جالب توجه بود و از آن پس روزبروز به گسترش این استاندارد و طراحی سیستم های...

طراحی پیش تقویت کننده rgc کم نویز مدار مجتمع cmos با پهنای باند ghz 20 و بهره dbω 60

در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023