پایان‌نامه

طراحی تقویت کننده توان موج میلی متری بازده بالا

چکیده

در این پایان نامه، یک تقویت کننده توان موج میلی متری کلاس a با بازده بالابرای گستره فرکانسی ghz 35-25 و با استفاده از تکنولوژی طراحی شده است. این تقویت کننده توان از دو طبقه کسکود در ورودی و یک طبقه سورس مشترک در خروجی تشکیل شده است تا دست-یابی هم زمان به گین بالا و بازده مورد نظر ممکن شود. در این تحقیق از یک ساختار میان گذر متشکل از دو lc، که یکی پایین گذر و دیگری میان گذر است، جهت انتقال امپدانس بهینه برای داشتن ماکزیمم گین، استفاده شده است. به دلیل محدودیت استفاده از سلف های اسپیرال در این گستره فرکانسی، برای تحقق سلف های موجود در شبکه های تطبیق و رزونانس مدار از خطوط انتقال میکرواستریپ استفاده شده است. این خطوط با شبیه ساز ممنتم طراحی و شبیه سازی شده و در ادامه مسیر پارامترهای پراکندگی استخراج شده از شبیه سازی آن ها، مورد استفاده قرار گرفته است. در حالت اول با در اولویت قرار دادن پارامترهایی از مدار هم چون گین و pae، اندازه عناصر موجود در شبکه های تطبیق، به ویژه شبکه تطبیق خروجی و تطبیق میانی دوم، به گونه ای انتخاب شده است تا این پارامترها برای به دست آوردن ماکزیمم مقدار ممکن، نسبت به ضریب بازگشت خروجی ترجیح داده شوند. در حالت دوم، این عناصر تطبیق با تمرکز بر دست یابی به ضریب بازگشت خروجی بهینه مجددا طراحی شده اند، ولی با این تغییرات، پارامترهای مذکور در حالت اول کاهش یافته اند. در حالت سوم، برای مصالحه و بهبود بین دو حالت بحث شده، از یک ساختار lc سری در کسکود طبقه دوم استفاده شده است. مقادیر حاصل از شبیه سازی ایده آل،برابر با ، و و مقادیر بعد از شبیه سازی با ممنتم برابر با ، و هستند. تقویت کننده با سیگنال مدوله شده 64qam-ofdm تغذیه شد و evm ای برابر با 7/27- به دست آمد. در نهایت جانمایی مدار و نتایج حاصل از شبیه سازی آن ارائه شده است.

اساتید راهنما و مشاور

عبدالرضا نبوی

اسناد مشابه

  • طراحی تقویت کننده توان دوبانده همزمان با سوئیچ فعال در 9/0/2/4 گیگاهرتز در پروسه 0.18μmrf cmos

    مقالهمهندسی برق دانشگاه تبریزجواد جاویدان, دانشگاه محقق اردبیلی سپیده فاضل, دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز

    چکیده: در این مقاله، تقویت­ کننده توان دوبانده با توان خروجی بالا در پروسه استاندارد 0.18μm cmos برای کدخوان rfid ارائه شده است. تقویت ­کننده توان در دو باند فرکانسی ghz9/0 و ghz4/2 به طور همزمان کار می ­کند. برای رسیدن به قابلیت خط­ سانی و توان خروجی بالا از ترکیب کردن چندین تقو

  • طراحی تقویت کننده توان کلاس J با تضعیف هارمونیک های ناخواسته

    مقاله۲۰۲۴مهندسی برق و الکترونیک ایرانمحمد بهرامی، فرزین شماع، حامد عباسی، رضا هواسی

    یکی از دغدغه‌های موجود در تکنولوژی های بیسیم ارسال اطلاعات با اتلاف توان کم و سرعت زیاد می باشد که به وسیله فرستنده های RF انجام می‌شود. مهم‌ترین بخش یک فرستنده RF، تقویت کننده توان است که باید دارای پهنای باند وسیع و بازده بالا باشد. تقویت کننده‌های توان در سیستم‌های مایکروویو و

  • طراحی تقویت کننده توان فرکانس رادیویی کلاس F مبتنی بر MMIC در فرکانس 2.5 گیگا هرتز با تکنولوژی GaN150nm

    مقاله۲۰۲۴مهندسی برق و الکترونیک ایرانپیمان علیپرست، باقر ذبیحی، ناصر نصیرزاده

    در این مقاله یک تقویتکننده توان فرکانس بالا مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه (MMIC) طراحی شده است. برای این طرح از پروسه ترانزیستورهای گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت 150 نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویتکننده 2.5 گیگا هرتز است.

  • طراحی تقویت کننده کلاس-D ولتاژ بالا با بازخورد توان برای بارهای پیزوالکتریک

    مقاله۲۰۱۹نشریه هیدروفیزیکرضا تقوی، عبدالخالق محمدیان دهزیری، محمدرضا خلیل آبادی، رضا مردانی

    در این مقاله یک تقویت‌کنندۀ کلاس-D به منظور راه‌اندازی بارهای پیزوالکتریک با در نظر گرفتن ملاحظات طراحی شامل بازده، خطی بودن و تداخل الکترومغناطیسی ارائه شده است. تقویت کننده کلاس-D با الگوی کلیدزنی مدولاسیون پهنای باند بر پایۀ تغذیه-باتری طراحی شده است. تقویت‌کننده ارائه شده علا

  • طراحی و شبیه سازی تقویت‏کننده توان دوهرتی 20 وات در فرکانس 2.14 گیگاهرتر برای سیستمهای ارتباطی بی سیم

    مقاله۲۰۱۹روشu200cهای هوشمند در صنعت برقحسین علی باقری، شعبان رضائی برجلو

    در این پژوهش، یک تقویت‏کننده توان دوهرتی متقارن در فرکانس 2.14GHz با بازدهی توان بالا و توان خروجی 20 وات طراحی و شبیه سازی شده است. این تقویت‏کننده توان برای استفاده در قسمت بلوک تقویت‏کننده توان یک فرستنده مخابرات بی سیم WCDMA ارائه شده است. این تقویت‏کننده توان از دو تقویت‏کنن

  • طراحی تقویت کننده هدایت انتقالی توان پایین، ولتاژ پایین خودبایاس شونده با ترانزیستورهای فین فت

    مقاله۲۰۲۱مهندسی برق و الکترونیک ایرانعلیرضا حسن زاده، مهدی شیرازی

    در این مقاله،یک تقویت کننده هدایت انتقالی ولتاژ پایین برای کاربردهای توان پایین با استفاده ازترانزیستورهای گیت مجزا فین فت طراحی و شبیه سازی شده است. در طراحی این مدار برای ایجاد ورودی با دامنه تا ولتاژ تغذیه از روش زوج شبه تفاضلی در طبقه ورودی و روش خودبایاس شونده استفاده شده اس