طراحی و ساخت جاذب مایکروویوی پهن باند با استفاده از ساختار های متناوب

در این پژوهش، جاذب های صفحه ای غیرمغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته اند. به کمک روش خط انتقال، مدار معادل و نمودار اسمیت دو جاذب پهن باند در باند های c و x به وسیله ساختارهای متناوب طراحی و تحلیل شده اند. جاذب اول در باند c در مقایسه با صفحه سلیزبری به ازای افزایش 2 میلیمتری در ضخامت، پهنای باند db20- را از 25.3 درصد به 66.7 درصد بهبود می دهد. در طراحی جاذب دوم در باند x، با معرفی یک سلول واحد جدید شامل مقاومت های دوگانه، ضمن کاهش لایه-های جاذب، تعداد نقاط تشدید افزایش یافته و پاسخی یکنواخت حاصل شده است. در این جاذب برخلاف روش مدار خازنی از سلف ها در طراحی مدار معادل استفاده شده و به کمک آن ها مرتبه مدار افزایش یافته است. نتیجه این عمل ساخت جاذبی با ضخامت کلی 3 میلیمتر در باند x می باشد که تنها از دو زیرلایه تشکیل شده است.