بررسی روش های مختلف ecc برای حافظه ها و طراحی یک روش بهینه برای تصحیح خطای گذرا در حافظه های sram
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی
- نویسنده مصطفی بیاتی
- استاد راهنما راهبه نیارکی اصل سیاوش امینی نژاد
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1392
چکیده
استفاده از کدهای تصحیح خطا از جمله کد همینگ برای مقابله با خطاهای نرم در حافظه ها بسیار مرسوم است. از جمله می توان به مقاوم سازی حافظه ها با این گونه کدها در کاربردهای هوا فضایی اشاره کرد. در سال های اخیر با پیشرفت تکنولوژی قطعات نیمه¬هادی و افزایش چگالی حافظه¬ها، یک ذره پر انرژی از تشعشعات فضایی می¬تواند چند بیت حافظه را به صورت هم زمان دچار واژگونی کند. این بیت های تغییر یافته به هم نزدیک و در اکثر موارد مجاور هستند. در نتیجه تشخیص وتصحیح خطا در بیت های مجاور اهمیت می¬یابد. بر همین اساس در این پایان نامه، روشی مبتنی بر الگوریتم ژنتیک ارائه شده است، که تابع برازندگی آن با هدف یافتن کد بهینه، برای مقابله با خطاهای مجاور طراحی شده است. پس از اعمال روش پیشنهادی برای کد (22،16) قابلیت تشخیص خطاهای مجاور سه بیتی نسبت به روش مرجع ]روش میان گذاری[ از 15% به 85% بهبود یافته است، همچنین قابلیت تصحیح خطاهای مجاور سه بیتی نیز از60% به 80% بهبود یافته است. در ادامه پس از اعمال روش پیشنهادی برای کد (39،32) نیز قابلیت تشخیص خطاهای مجاور سه بیتی نسبت به روش مرجع از 13/35% به 48/86% بهبود یافته است، همچنین قابلیت تصحیح خطاهای مجاور سه بیتی نیز از 18/89 به 59/94% بهبود یافته است. این نتایج بدون اضافه کردن بیت دیگری به عنوان چک بیت به دست آمده است، اما از قابلیت تشخیص خطاهای دو بیتی غیر مجاور کاسته شده است.
منابع مشابه
طراحی یک دیکدر BCH بهینه جهت افزایش اطمینان در ذخیره سازی اطلاعات و تصحیح خطا در حافظه های فلش
چکیده: کاهش ابعاد ترانزیستورها در نسل جدید حافظههای فلش و رهسپار شدن آن‌ها به سمت حوزههای طراحی نانومتر منجر به عدم صحت در برنامهریزی و پاک کردن اطلاعات در این طراحیها شده؛ درنتیجه قابلیت اطمینان در ذخیرهسازی اطلاعات به چالشی مهم در ساختار این نوع حافظهها تبدیل شده است. جهت مقابله با چنین چالشی در کنترل‌کننده این نوع از حافظهها از کدهای تصحیح خطای BCH استفاده میشود. دو نکته اساسی در...
متن کاملطراحی یک دیکدر bch بهینه جهت افزایش اطمینان در ذخیره سازی اطلاعات و تصحیح خطا در حافظه های فلش
چکیده: کاهش ابعاد ترانزیستورها در نسل جدید حافظههای فلش و رهسپار شدن آن ها به سمت حوزههای طراحی نانومتر منجر به عدم صحت در برنامهریزی و پاک کردن اطلاعات در این طراحیها شده؛ درنتیجه قابلیت اطمینان در ذخیرهسازی اطلاعات به چالشی مهم در ساختار این نوع حافظهها تبدیل شده است. جهت مقابله با چنین چالشی در کنترل کننده این نوع از حافظهها از کدهای تصحیح خطای bch استفاده میشود. دو نکته اساسی در...
متن کاملیک مدل اجزاء محدود غیر خطی برای محرک ها و تیرهای کامپوزیتی هوشمند شده با لایه های آلیاژ حافظه دار
در این مقاله یک مدل اجزاء محدود جامع برای تحلیل پاسخ گذرا و ماندگار محرک ها و تیر های هوشمند با ساختار کامپوزیتی متشکل از المنت های آلیاژ حافظه دار (SMA) تعبیه شده در یک ماده ماتریس و دارای درجات آزادی و قابلیت تحرک در سه بعد ، ارائه شده است . بدلیل وجود تنش های برشی و خیز نسبتا بزرگ در این سازه ها ، مدلسازی بر اساس یک تئوری پیشرفته برای تیرها و با فرض میدان کرنش غیر خطی ون – کارمن انجام گرفته ...
متن کاملیک روش جهت مزدوج برای بهبود روش حافظه محدود bfgs
اصلاحات ساده از روش حافظه محدود bfgs برای حل مسائل مقیاس بزرگ بهینه سازی نامقید که اخیرا در ادبیات موضوع مطرح شده است ارائه می شود. این اصلاحات شامل تصحیح بردارهای تفاضلی به کار رفته و هم چنین استفاده از اطلاعات تکرارهای قبلی است. در حالتی که تابع هدف درجه دوم باشد, با همگرایی الگوریتم, بردارهای تفاضلی ذخیره شده برای طول گام های واحد, مزدوج هستند. نتایج همگرایی الگوریتم برای توابعی که بع اندازه...
یک روش چند عاملی جدید مبتنی بر یادگیری تقویتی برای شکل‌دهی ترافیک و تخصیص حافظه بافر در روترها
Normal 0 false false false EN-US X-NONE AR-SA MicrosoftInternetExplorer4 ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023