اندازه گیری امپدانس مغناطیسی بزرگ میکروتیوب نیکل-آهن لایه نشانی شده با روش الکتروشیمیایی

پایان نامه
چکیده

در این پروژه، حسگرهای gmi که با روش لایه نشانی آماده شده اند، مورد بررسی قرار گرفته اند، که در آن میکروتیوب های نیکل- آهن بوسیله لایه نشانی پالسی بر روی سیم مسی تهیه شده اند و با تغییر در زمان نهشت نمونه ها به بررسی تغییرات درصد امپدانس مغناطیسی بزرگ و خواص مغناطیسی نمونه ها و رابطه آنها با هم پرداخته شده است. بهترین پاسخ امپدانسی، افزایشی در حدود 50 درصد نسبت به دیگر نمونه ها نشان می دهد. این نمونه با جریان 5/1 میلی آمپر و زمان 30 دقیقه نهشت بدست آمده و اندازه-گیری امپدانس مغناطیسی بزرگ آن در فرکانس 12 مگاهرتز و دامنه جریان 5/3 میلی آمپر انجام گرفته است. هم چنین اندازه دانه بلوری و میدان وادارندگی نمونه ها محاسبه شده است، که برای نمونه ذکر شده، مقدار میدان وادارندگی 2/2 اورستد و متوسط اندازه دانه بلوری آن 23 نانومتر به دست آمده است.

منابع مشابه

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023