در این پروژه، حسگرهای gmi که با روش لایه نشانی آماده شده اند، مورد بررسی قرار گرفته اند، که در آن میکروتیوب های نیکل- آهن بوسیله لایه نشانی پالسی بر روی سیم مسی تهیه شده اند و با تغییر در زمان نهشت نمونه ها به بررسی تغییرات درصد امپدانس مغناطیسی بزرگ و خواص مغناطیسی نمونه ها و رابطه آنها با هم پرداخته شده است. بهترین پاسخ امپدانسی، افزایشی در حدود 50 درصد نسبت به دیگر نمونه ها نشان می دهد. این نمونه با جریان 5/1 میلی آمپر و زمان 30 دقیقه نهشت بدست آمده و اندازه-گیری امپدانس مغناطیسی بزرگ آن در فرکانس 12 مگاهرتز و دامنه جریان 5/3 میلی آمپر انجام گرفته است. هم چنین اندازه دانه بلوری و میدان وادارندگی نمونه ها محاسبه شده است، که برای نمونه ذکر شده، مقدار میدان وادارندگی 2/2 اورستد و متوسط اندازه دانه بلوری آن 23 نانومتر به دست آمده است.