در این پایان نامه، اثرات ناخالصی شیمیایی روی خواص الکترونی و اپتیکی چندلایه ای های نیمرسانای بی نظم بر اساس هامیلتونی بستگی قوی و تقریب پتانسیل همدوس تک جایگاه مورد مطالعه قرار گرفته است. به دلیل قید کوانتومی سیستم در جهت عمود بر لایه ها، طیف الکترونی به مجموعه ای از زیرتراز ها گسسته می شود و چگالی حالت های الکترونی و به تبع آن طیف جذب اپتیکی وابسته به موقعیت لایه می شوند. نتایج نشان می دهد که مقادیر جذب به میزان غلظت ناخالصی و قدرت بی نظمی بستگی دارد. طیف جذب به دلیل اثرگذاری ناخالصی در تمام لایه ها پهن می شود و در حالت پراکندگی قوی از ناخالصی، دو نوار در طیف جذب اپتیکی ظاهر می شوند. ظهور گاف در چگالی حالت های الکترونی و به تبع آن در طیف جذب اپتیکی نتیجه فرآیند پراکندگی حامل ها از ناخالصی هاست و اندازه آن به قدرت بی نظمی بستگی دارد. علاوه بر آن دریافتیم که در فرآیند جذب، بیشتر انرژی فوتون توسط لایه های میانی سیستم جذب می شود. این نتایج می تواند در توسعه نانوساختارهای الکترو اپتیکی مفید باشد.