در این پروژه پس از لایه نشانی ساختارهای لایه نازک sno2 و پوشش های دوتایی- دوتایی sno2-zno، خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری آنها ، همچنین اثر ناخالصی فلوئور، f ،و نیز تاثیر لایه نشانی لایه های ضدبازتاب بر روی آنها مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه ها به روش "اسپری پایرولیزیز" تهیه سپس مقاومت الکتریکی سطحی، ضریب هال، تراکم ناخالصی و میزان شفافیت در گستره ی مرئی این نمونه ها اندازه گیری شد. نتایج به دست آمده نشان می دهد که میزان عبور لایه های ترکیبی sno2-zno از نمونه ی sno2 بالاتر است. در حالی که مقاومت الکتریکی سطحی لایه های ترکیبی بیشتر از sno2 می باشد. گاف انرژی، ضریب جذب و ضریب شکست با استفاده از طیف عبوری اپتیکی تعیین گردید که نشان دهنده ی افزایش پهنای گاف انرژی با افزایش تراکم ناخالصی می باشد. اثر نشاندن لایه های ضدبازتاب mgf2، sio2 بر پاسخ نوری نمونه ها ابتدا شبیه سازی مورد مطالعه قرارگرفت و بدین ترتیب ضخامت بهینه برای لایه های ضدبازتاب روی نمونه ها تعیین گردید. لایه ها ی مورد نظر به کمک دستگاه تبخیر حرارتی vas بر روی نمونه ها نشانده شد. نتایج به دست آمده بیانگر کاهش بازتابش نمونه ها و افزایش میزان عبور نوری لایه ها می باشد.