ترکیبات دو عنصر سیلیکون و کربن c را کربیدسیلیکون می گویند ودارای خوشه های بسیار زیادی می با شند. انواع مختلف و متنوعی از ترکیب دو عنصر سیلیکون و کربن وجوددارد و در تکنولوژی مواد بسیار با اهمیت است. کربید سیلیکون دارای خواص مطلوب بسیار زیادی مانند رسانایی گرمایی بالا، شکنندگی بالا درمیدان الکتریکی، پایداری حرارتی بالا، ایستادگی در رابطه با تغییرات شیمیایی است. این خواص جالب ،کربید سیلیکون را برای استفاده مدارات مجتمع الکترونیکی در درجه حرارت، فرکانس و ولتاژهای بالا بسیار مناسب ساخته است. در مطالعه ساختار الکترونی خوشه های ( ) تئوری تابع چگالی با تقریب وبا انتخاب دستگاه پایه مورد استفاده قرار گرفته است. با استفاده از برنامه گوسین 3 اطلاعاتی را در خصوص انرژی پیوند، فرکانس ارتعاش، گاف هومو-لومو، پتانسیل یونیزاسیون، الکترون خواهی خوشه هایی که اپتیمم شدند به دست آوردیم. خوشه هایی که دارای تعداد سیلیکون و کربن برابر بودند از پایداری خاصی برخوردارند. بخصوص با توجه به در نظرگرفتن معیار های همزمان انرژی پیوند بالا، باند گاف بالا، پتانسیل یونیزاسیون بالا و الکترون خواهی پایین خوشه را به عنوان پایدارترین خوشه (خوشه جادویی ) معرفی کردیم. این نتایج با اغلب نتایج تئوری و آزمایشگاهی که ارائه شده است مطابقت خوبی دارد.