چکیده در این کار تجربی لایه های نازک اکسید روی با اکسیداسیون حرارتی نانو لایه های zn که با استفاده از روش کندوپاش مگنترون (dc) بر زیر لایه si(100) انباشت شده ، تولید شده اند. دمای بازپخت، نحوه انباشت لایه ها، ضخامت و آهنگ انباشت لایه ها پارامترهایی هستند که تاثیر آن ها بر طیف فوتولومینسانس لایه ها مورد بررسی قرار گرفته است. طیف pl نمونه هایی که100 و200 نانو متر روی بر آن ها انباشت شده و در دمای 400 ? در محیط هوای آزاد اکسید، و سپس در دماهای 500 و 600 و 700 درجه سلسیوس بازپخت شده اند ، مورد بررسی قرار گرفته است. مورفولوژی سطحی نمونه های با ضخامت 100 nm نیز بررسی شده است. طیف pl و مورفولوژی سطحی لایه هایی به ضخامت 100 nm که در دو مرحله و در هر مرحله 50 nm، zn انباشت شده و در دماهای 300 و 400 درجه سلسیوس، در محیط هوای آزاد اکسید شده اند، بررسی شده است. خواص فوتولومینسانسی و مورفولوژی سطحی نانو لایه هایی با ضخامت 100 nm که با آهنگ های متفاوتی (0.6-4.5 nm/s) انباشت شده اند، نیز مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. در بررسی مورفولوژی سطحی از آنالیزهای میکروسکوپ نیروی اتمی (afm)و میکروسکوپ الکترونی روبشی(sem) بهره گرفته شده است. زبری سطوح، تابع توزیع قله ها در سطح و اندازه دانه ها پارامترهایی هستند که مطالعه شده اند.