لایه های اکسیدی به روشی جدید در محدوده دمایی بالاتر از 140 درجه سانتیگراد و فشارهای 4 الی 20 تور در نسبت های مختلف گازی o2/sih4 تهیه شده اند که دارای نرخ لایه نشانی بین 0 -500 آنگسترم در دقیقه و نرخ لایه برداری بین 50-110 آنگسترم در ثانیه و میدان های شکست از مرتبه مگاولت بر سانتیمتر بوده که از لحاظ کیفیت بسیار نزدیک به لایه های اکسید حرارتی می باشند. آنالیز لایه های اکسیدی تهیه شده به وسیله ft-ir نشان می دهد که این لایه ها دارای خواص جذبی شبیه به sio2 می باشند و پیک های باندهای کششی و خمشی در cm-1 1078 و cm-1 820 کاملا مشهود می باشند. مقاومت لایه های تهیه شده در مقابل اسیدhf : h2o 1 به 10 نرخ لایه برداری 50-110 آنگسترم در ثانیه می باشد.