نتایج جستجو برای: فونون
تعداد نتایج: 138 فیلتر نتایج به سال:
در این پایان نامه، ما مشخصه های دینامیکی و سیگنال کوچک و بزرگ لیزرهای نقطه کوانتومی را شبیه سازی می کنیم، با فرض این که درون نقطه کوانتومی فقط یک تک تراز پایه الکترون و حفره وجود دارد. دو مسئله مهم برای درک موفقیت آمیز از لیزرهای نقطه کوانتومی وجود دارد. اول نوسانات اندازه در مجموعه نقاط کوانتومی است که عمدتا باعث پهن شدگی غیرهمگنمی شود. برهم کنش حامل – حامل و حامل – فونون موجب پهن شدگی همگن ...
با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 محاسبه و با دو نیمرسانای cdteو hgte مقایسه شده است. در محاسبه تحرک پذیری، پراکندگی از فونون های آکوستیکی، پیزوالکتریک، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است. نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه...
ساختارهای جدید یک بعدی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی نانوسیمی و نانولوله های کربنی بطور گسترده ای به عنوان جایگزینی برای ماسفت های مسطح مورد بررسی و کاوش قرار گرفته اند. در سیمهای کوانتومی شاهد قابلیت حرکت الکترون بیشتری نسبت به چاههای کوانتومی هستیم. زیرا پراکندگیهای الکترون – الکترون در نانوسیمها از اهمیت کمتری نسبت به چاههای کوانتومی برخوردارند. روش مونت کارلو از جمله روشهای نیمه کلاسیکی ح...
هالیدهای مس شاملcucl ، cubr و cui نیمه هادیهای با یک گاف مستقیم و بزرگ هستند که به دلیل امکان تولید میکرو بلورها امروزه مورد توجه زیادی قرار گرفتهاند. همچنین لیزر نمک مس، در طیفنگاری و فیزیک هستهای مورد توجه قرارگرفته است. لیزر بخار مس در رده لیزرهای گازی پرقدرت با بازدهی بالا در محدوده طولموج های مرئی محسوب میشود و کاربردهای زیادی در زمینههای اسپکتروسکوپی و پزشکی دارد و نیز به ایندلیل...
جلوه دیگر ماهیت کوانتومی ابررسانایی (ابرشاره ای)، ابررسانندگی(ابرشارگی) ضعیف است که آثار جوزفسون نامیده می-شود. در سال 1962، جوزفسون در یک مقاله نظری، دو اثر جالب را پیش بینی کرده بود. که خیلی زود به صورت تجربی به اثبات رسیدند. ابررسانندگی ضعیف به رفتاری اشاره دارد که در آن دو ابررسانا با یک اتصال ضعیف به یکدیگر وصل شده اند. این اتصال را می توان با پیوند تونلی ایجاد کرد لذا این آثار در پیوند گا...
ضریب برهم کنش الکترون- فونون در ابررسانای کوپراتی la2-xbaxcuo4 برای گستره آلایش های مختلف، از حالت بدون آلاییدگی تا حالت فراآلاییده، مورد محاسبه قرارگرفته است. در این مطالعه هدف بررسی کیفیت محاسباتی از این دست به روش dft است که برای این منظور نتایج محاسبات ساختار الکترونی به روش gga+u σ نیز مورد بررسی قرار گرفته اند. مقدار محاسبه شده ضریب جفت شدگی الکترون - فونون در تطابق با محاسبات پیشین است و...
در پراکندگی القایی بریلوئن تاثیر طول عمر فونون و ضریب بریلوئن محیط روی توان لازم برای تقویت سیگنال استوکس مورد بررسی قرار گرفته است..با استفاده از پارامترهای چهار محیط ccl4،gecl4،cs2 واستن ، شکل موج استوکس برای مقادیر مختلف توان دمش شبیه سازی شده است. اندازه میدان استوکس در محیط های متفاوت با تغییر ضریب بهره و نیز با تغییر طول عمر فونون بررسی میشود.تغییرات پرتو استوکس در طول محیط نیز با توجه به...
خصوصیات کلی تحرک پذیری وابسته به میدان الکتریکی به این صورت است که افزایش میدان الکتریکی باعث افزایش انرژی الکترون ها شده واین امر منجر به تولید فونون و افزایش پراکندگی بین آن ها می شود و در نتیجه آن تحرک پذیری کاهش می یابد. در حالت کلی تحرک پذیری در میدان های الکتریکی پایین تا رسیدن به یک میدان بحرانی ثابت باقی مانده و آن سوی میدان بحرانی با افزایش میدان الکتریکی شروع به کاهش می کند. در این ت...
به وسیله ی نظریه تابعی چگالی اختلالی، پاشندگی فونونی، چگالی حالت های فونونی، ظرفیت گرمایی ویژه و خواص مکانیکی نانولوله های کربنی تک دیواره باریک (دسته صندلی و زیگزاگ) با استفاده از شبه پتانسیل فوق نرم محاسبه شده است. در تحقیق حاضر برای محاسبه ی اثر ناخالصی، یک اتم کبالت در مرکز یک یاخته بسیط نانولوله ی کربنی (0و5)، در نظر گرفته می شود.
هدف از این تحقیق بررسی رفتار دمایی ضریب هدایت حرارتی نانولوله های تک جداره زیگزاگ با تغییرات دما وشعاع نانولوله و شدت برهمکنش الکترون- فونون می باشد.جهت بررسی دینامیک الکترون در بلور از مدل هولشتاین که معادل برهمکنش الکترون- فونون اپتیکی، انرژی جنبشی فونون ها و مدل تنگ بست است استفاده می شود. برای یافتن ضریب هدایت حرارتی از روش تابع گرین و نظریه پاسخ خطی کوبو و از تقریب دوم اختلال برای محاسبه خ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید