نتایج جستجو برای: گالیم

تعداد نتایج: 172  

ژورنال: :بیولوژی کاربردی 0

شهین مرادنسب بدرآبادی 1، داریوش سرداری2، میترا اطهری2آشکارسازهای ذرات یا پرتو ابزاری هستند که با آن ها ذرات پرانرژی را آشکار، ردیابی یا شناسایی می کنند. یکی از این آشکارسازها گالیم آرسناید (gaas) می باشد. مشکلات در تولید لایه های ضخیم با دوپینگ (ناخالص سازی یا تغلیظ) به اندازه کافی کم نیاز به عمق های تهی سازی کافی (بیشتر از 100 میکرومتر) داشت، در حالی که مانع توسعه بیشتر می شدند. سپس، علاقه جدی...

ژورنال: بیولوژی کاربردی 2016
داریوش سرداری شهین مرادنسب بدرآبادی, میترا اطهری

شهین مرادنسب بدرآبادی 1، داریوش سرداری2، میترا اطهری2آشکارسازهای ذرات یا پرتو ابزاری هستند که با آن‌ها ذرات پرانرژی را آشکار، ردیابی یا شناسایی می‌کنند. یکی از این آشکارسازها گالیم آرسناید (GaAs) می باشد. مشکلات در تولید لایه های ضخیم با دوپینگ (ناخالص سازی یا تغلیظ) به اندازه کافی کم نیاز به عمق‌های تهی سازی کافی (بیشتر از 100 میکرومتر) داشت، در حالی که مانع توسعه بیشتر می‌شدند. سپس، علاقه جدی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1389

در این پایان نامه به مطالعه ی خواص ترابرد الکترونی در نیمرسانای گالیم آرسناید به روش نظری پرداخته شده است. در ابتدا روش شبیه سازی بر پایه ی معادلات نفوذ رانش نیمه کلاسیک انجام شد و پس از بررسی ناکارامدی نسبی روش نیمه کلاسیک در بیان مشخصات قطعات نانومتری، بر روی معادلات تصحیحات کوانتومی اعمال گردید. با این تصحیحات نتایج شبیه سازی به مقادیر قابل انتظار تبدیل گردید و اثرات پدیده هایی چون تونل زنی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1389

در این تحقیق به بررسی ساختار چاه کوانتومی تحت کرنش ingan/ganورتزیت پرداخته ایم. هدف اصلی ما در این پایان نامه محاسبه میدان الکتریکی در چاه کوانتومی ingan/gan و نیز چاه های کوانتومی چندتایی آنها است. روش ما برای این محاسبه، حل معادله کرنش به منظور بدست آوردن بارهای پلاریزاسیون که عمدتاَ بدلیل تغییر ناگهانی ثابت-های پیزوالکتریک در سطح مشترک چاه و سد حاصل می شود می باشد، حل خود سازگار معادلات پواسو...

در این مقاله نانو کامپوزیت شفاف اکسیدروی آلائیده به عنصرگالیم با خواص تابناکی ویژه در دمای اتاق تهیه شد. نانوبلورهای اکسیدروی آلائیده به عنصر گالیم( (GZO به روش ساده سل ژل سنتز شدند. خواص اپتیکی، ساختاری و ریخت‌شناسی نمونه‌های تهیه شده توسط مشخصه‌یابی‌های مختلف از جمله طیف فوتولومینسانس، طیف جذبی-عبوری، طیف پراش پرتوی ایکس (XRD)، طیف‌سنجی پراش انرژی پرتو ایکس(EDAX)، تبدیل فوریه مادون قزمز(FTIR)...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم 1390

نانولوله گالیم نیترید آرمچیری (5و5) بر خلاف نانولوله کربنی به صورت نیمه هادی است. نانولوله-های گالیم نیترید به همان پایداری نانولوله های کربنی هستند و می توانند تحت برخی از شرایط مازاد شکل بگیرند. ویژگی گالیم نیترید نشان دهنده قابلیت این ماده برای استفاده در وسایل الکترونیکی با دما و سرعت بالا است. علاوه بر این، آنها خواص نوری جالبی نیز دارند به طوری که می توانند طول موج های ماوراء بنفش و نورآب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بیرجند - دانشکده علوم 1391

در این کار پژوهشی نانوذرات nife2-xgaxo4 به ازای x های 0، 1/0 و 3/0 به روش سل – ژل ساخته شد و اثر جانشانی گالیم بر خواص ساختاری و مغناطیسی این نانوذرات مورد بررسی قرار گرفت. به منظور شناسایی ذرات حاصل، از طیف اشعه x و برای بررسی ویژگی های مغناطیسی آنها از دستگاه مغناطیس سنج با نمونه نوسانی vsm استفاده گردید. آنالیز ساختاری نمونه ها توسط الگوی پراش پرتو x نشان می دهد ساختار حاصل، اسپینلی معکوس ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - پژوهشکده علوم پایه کاربردی 1390

در این پایان نامه، خصوصیات اپتیکی فاز جدیدی از ماده گالیم نیترید (gan) به شکل نانولوله را با استفاده از محاسبات تابعی چگالی (dft) بررسی می کنیم. ساختار نانولوله گالیم نیترید مانند نانولوله کربنی پایدار و تحت شرایطی قابل سنتز می باشد. از آنجایی که نانولوله بورون نیترید و بورون کربن نیترید قبلاً به وسیله روش قوس الکتریکی در تجربه مشاهده شده است انتظار می رود که سنتز نانولوله نیتریدی دیگری مانند کر...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
kamyar - saghafi shahed univ. mohammad kazeme moravvej-farshi tarbiat modares univ. vahid ahmadi tarbiat modares univ.

در این مقاله به بررسی نقش خواص ذاتی مواد نیمرسانای مرکب، از جمله اختلاف انرژی بین دره های l و در ماده، جرم مؤثر حامل و همچنین فرایندهای پراکندگی برمشخصه های انتقال الکترون در کانال مِسفِت می پردازیم. به علاوه، تأثیر ساختار مِسفِت بر مشخصه های انتقال الکترون را در افزاره مطالعه می کنیم. برای بررسی این موضوع ساختار مِسفِت ingaas تعبیه شده برروی بستر نیم عایق inp و ساختار مِسفِت inp را با روش مونت کارلو ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1391

در سالهای اخیر، نیمرساناهای با گاف نوار بزرگ نظیر نیترید گالیم، کربید سیلیسیم و اکسید روی مورد توجه قرار گرفته اند. از یک طرف به دلیل اینکه گاف نوار بزرگ این نیمرساناها، قطعات ساخته شده از این نیمرساناها را قادر می سازد تا دمای کار گسترده تری داشته باشند و در نتیجه می توان سیستم های خنک کننده را که باعث افزایش قیمت این سیستم ها می شود را حذف کرد که علاوه بر کاهش قیمت، کاهش اندازه سیستم را نیز د...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید