در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی گیت های منطقی بولی صوتی بر بستر بلورهای فونونی با روش چند موجبری ارائه شده است. برای طراحی این گیت ها از بسترهای فونونی سیلیکنی جهت مجتمع سازی با سایر ادوات اپتوالکترونیکی که یکی از مزایای این طرح نیز می باشد استفاده شده است. در ابتدا به مطالعه و بررسی انواع بلور فونونی و حوزه های مختلف فرکانس کاری و پارامترهای موثر بر رفتار آنها می پردازیم. پس از آن انواع رو...

قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیترید می تواند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کند، نیمه رساناهای نیتریدی گروه iii و آلیاژهای آن که به علت داشتن نوار انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند و درگسیل های نوری، گذار مستقیم دارند. بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات توان بالا و بهره بالا می باشند. لذا برررسی بهره نوری و بهینه سازی آن میتواند کارکرد لیزرهای ن...

سیستم¬های فتوولتائیک مشخصه توان-ولتاژ غیرخطی دارند و نقطه¬ی حداکثر توان آنها با تغییرات تابش تغییر می¬کند. این سیستم¬ها اغلب توسط درختان اطراف، پرندگان و حتی برف به صورت کامل یا جزئی تحت سایه قرار می¬گیرند که در این صورت مشخصه توان-ولتاژ پیچیده¬تر شده و روش¬های معمول قادر به ردیابی نقطه حداکثر توان جهانی نیستند. در این پایان¬نامه یک سیستم ردیابی نقطه حداکثر توان معرفی می¬شود که این روش الگوی سا...

هدف از این پایان نامه بررسی اثرات غیرخطی ساختاری روی بهره نوری ترانزیستور لیزری ingaas/gaas است.ترانزیستور لیزری tl مورد نظر ما یک ترانزیستور دو قطبی ساختار نامتجانس hbt است که با به کارگیری نانو ساختارهای چاه کوانتومی در بیس و ایجاد کاواک نوری،می توان علاوه بر تقویت سیگنال الکتریکی ، سیگنال نوری همدوس نیز ایجاد کرد. این قطعه اپتو الکترونیکی قادر است به طور همزمان سیگنال های الکتریکی و نوری (لی...

نیمرسانای های نیتروژندار بویژه نانو ساختارهای آنها دارای کاربرد های وسیعی در قطعات اپتیکی و اپتوالکترونیکی درمحدود طول موج های مادون قرمز تا ماوراء بنفش می باشند و بررسی بازترکیب حاملها بویژه بازترکیبات اکسیتونی در این نیمرساناها برای بالا بردن بازده نوری قطعات اپتیکی دارای اهمیت می باشد. وجود افت و خیزهای پتانسیل در لبه گاف نواری ناشی از عوامل مختلفی مثل ناهمواریهای فصل مشترک چاه و سد و همین...

چکیده کاربرد نظریه k.p در بررسی حالات الکترونیکی نانو ساختارهای نیم¬رسانا اسماعیل مهدیزاده سروستانی بیشتر خواص اپتوالکترونیکی مواد نیم¬رسانا از قبیل جرم موثر الکترون و حفره، چگالی حالات نوار رسانش و ظرفیت و شکاف نواری در نظریه نواری جامدات نهفته شده است. بنابراین محاسبه ساختار نواری نیم¬رساناها در فیزیک حالت جامد از اهمیت زیادی برخوردار است و در نتیجه نقش اساسی در پیشرفت ساخت ادوات الکترونیک...

با توجه به افزایش روز افزون موارد استفاده از تجهیزات اپتوالکترونیک در صنعت، ضرورت کار بر روی چنین سیستم هایی و نیز بهبود قابلیت های آن ها بیش از پیش آشکار می شود. بر این اساس در این پروژه طراحی و ساخت یک سیستم اندازه گیری سرعت دقیق با استفاده از پرتو لیزر مد نظر بوده است. سیستم های متداول در اندازه گیری سرعت عموماً مبتنی برروش زمانی هستند که معمولاً از دقت چندانی برخوردار نیستند و این امر استفاده...

در این پروژه میکرو/ نانو ساختار های zno بر روی زیر لایه کوارتز به روش تبخیر حرارتی درکوره رشد داده شد. ترکیبی از پودر znoو پودر گرافیت (با نسبت یکسان، جهت پایین آوردن دمای بخار) را داخل یک بوته کوارتز کوچک و نزدیک انتهای آن گذاشته شد و زیر لایه کوارتز را در فواصل مختلف از مرکز کوره در تیوپ کوارتز کوچک قرار داده شد. سپس تیوپ کوچک را درون یک تیوپ بزرگ کوارتز قرار داده و گاز خنثای 2 ? به عنوان گاز...

در سالهای اخیر خواص اپتیک چاههای کوانتومی، سیم های کوانتومی و نقاط کوانتومی بطور قابل ملاحظه ای مورد توجه قرار گرفته است. مطالعه این ساختارها حوزه های جدیدی را در فیزیک بنیادی نانوفوتونیک و شیمی باز نموده و گستره عظیم و بالقوه ای از کاربردها را برای وسایل اپتوالکترونیک از جمله لیزرهای نیم رسانا، ترانزیستورهای تک الکترونی، حافظه های اپتیکی و آشکارسازهای فوتونی مادون قرمز را پیشنهاد می¬کند. در ای...